大家好、
我的客户 在其项目中使用了 DRV8703-Q1、现在他们遇到了一个问题、您能帮助我们提供一些评论吗？ 谢谢！
当 VCP 连接到反向 Mos 且电压为10V、并且 VM 断电时、VM 上的测量电压为2V、VGH 为0。
VM 电压似乎是由芯片内部的漏电流引起的。 但是、根据数据表、 VM 和 VCP 之间有两个反相二极管、并且 VCP 上的电压理论上不影响 VM。
为了避免外部电容的影响、客户尝试移除 VCP 和 VM 之间的电容、但 VM 处仍然有2V。
您能评论一下 VM 和 VCP 之间的内部电路吗？ 由于 VM 已断电、VCP 上的电压是否可能会通过内部电路影响 VM 的电压？
谢谢！
此致、
常春藤
尊敬的 Keerthi：
谢谢！ 再问一个问题。
为了避免 VM 在断电时仍然存在2V 电压的问题、这可能导致静态电流过大、客户希望在 VCP 和防回流电路之间增加一个二极管、以便在睡眠模式下 VCP 没有电压。 您认为这是可能的吗？ 以及是否存在潜在风险。
请提供您的建议。 谢谢你。
此致、
常春藤
您好！
感谢您的提问。 我想您的条件是 KL30_1 =~12V、但 VM (+12V_SW)= 0V。 是这样吗？
如果是、则客户可能违反了 ABS 最大规格。 这与电荷泵泄漏电流无关、但最好进行检查。
如果客户想对 DRV 的电源(VM)和 FET 的电源 KL_30_1使用不同的电源、我建议改用 DRV8705-Q1。 此器件可支持双电源。
DRV8705Q1 EVM 提供了 VCP 提供的电池反向保护电路示例。 供参考。
e2e.ti.com/.../2577.MD023E3_2800_005_29005F00_Sch.pdf
此致
森田真也
您好、Morita：
我们在 VM 和 VDRAIN 之间施加了+14.4V 的电压、测量的电流为11.2mA。我们在 VDRAIN 和 VM 之间施加了+14.4V 的电压，测量的电流为4.7μA。
谢谢！
此致、
博卓
您好、Morita：
我们了解不能披露内部电路，此设计的产品已经上市，我们想评估风险并了解原因。
为什么 VM-VDRAIN 绝对最大值规格是±10V？
：1 μ s
如果 VM- VDRAIN>10V，Assyme VM=22V、VDRAIN=10V、VCP=VM+10.2V=32.2v、请接通外部 MOSFET、=VCP-VDRAIN=20.2v>MOSFET VGS (VGS)最大耐受电压。
如果 VM-VDRAIN<-10V，Assyme VM=12v、VDRAIN=22V、VCP=VM+10.2V=22.2v、打开外部 MOSFET、VGS = VCP-VDRAIN=0.2V、则无法打开外部 MOSFET。
：2 μ s
该器件无法 支持双电源、请参见图片(我们的设计)、当 ECU 处于睡眠模式时、VM 断电、如果 SH 引脚短接至 VBAT，、将损坏 ESD 二极管(10V 齐纳二极管、在黄圈内)。
，可能1 μ s 我认为没有风险,ECU 处于工作模式，VM 上电。
如果可能2、我认为存在低风险、SH 引脚不短接至 VBAT。
还有其他可能吗？ 您能帮我分析一下吗？
谢谢！
此致、
博卓
