我正在使用此芯片的硬件版本。 我已经构建了一个电路板、并且成功运行了有刷电机。 我是在最大100A 的基础上对各种控制电阻器进行计算的。 我目前已禁用过流保护(引脚4 VDS 连接到 DVDD)、因为我不知道如何设置电阻分压器来馈入过流控制引脚4。 我无法弄清楚1-5级在最大电流方面的含义。
有人可以建议吗？
理想情况下、我需要将其设置为在70A 或80A 左右开始。 但我仍然想了解如果计算基于100A、每个级别代表什么。
此致、
克雷格·凯斯勒
安迪马克公司
尊敬的 Craig：
如下代码片段中突出显示的 VDS 电平是根据为该6电平输入引脚建议的电平电压(GND 电阻器)选择的、如第二个代码片段中所示。
VDS 电压是 MOSFET 上的 I*R 电压降，它将是 FET 的负载电流* Rdson。 假设 FET 的 Rdson 为10 mΩ、100A 时、VDS 电压将为100 * 0.010 = 1V。 因此、VDS 引脚应设置为5级。 我希望这对您有所帮助。
注意：在过流抗尖峰时间 TDS_DG、硬件耗散、该器件的典型值为4us 后将会检测到 OCP。 必须注意这一点、以防止输出发生短路并造成严重短路。 在 OCP 生效之前可能会损坏 FET。 在输出端子处、电路板上可能需要铁氧体磁珠等小型电感器来降低 di/dt、以实现短路保护。
此致、Murugavel
尊敬的 Craig：
是的、要承担。 请参阅 数据表中的7.3.8.12故障检测和响应摘要表。
此致、Murugavel
尊敬的 Craig：
VDS 阈值0.06V 典型值是此器件可用的最低阈值。 从而在 EVM 中选择了该值。 您对计算结果是正确的。 如果您希望检测到低于100A 的 OC 阈值、则0.06V 阈值可能不是超低 Rdson FET 的最佳最低阈值。 超低 Rdson FET 还用于超高浪涌电流、可承受数百 A 的极高脉冲电流。理想情况下、此类低 Rdson FET 应使用闭锁过流故障。
请参阅下面的 EVM 硬件中使用 FET 的绝对最大额定值。
此致、Murugavel
