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[参考译文] MOSFET 选择

admin
Guru**** 2455560 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19506KTT, CSD19502Q5B

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1328939/mosfet-selection

主题中讨论的其他器件：CSD19502Q5B、CSD19506KTT

我们计划使用 高电流 正电压。

提及了我们的要求遵循这个、

1.直流持续120A

VGS = 9V

3.低 Rdson 示例(1m Ω 至3m Ω)

输入和输出电容低

5.VDSS：80V

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    TI__Guru**** 2455560 points
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    您好、Prema、

    感谢您关注 TI FET。 我们导通电阻最低的80V FET 是 D2PAK 中的 CSD19506KTT。 VGS = 10V 时的最大 RDS (ON)= 2.3mΩ。 CSD19502Q5B 采用5x6mm SON 封装、VGS = 10V 时的4.1mΩ 最大值。 如果您有任何问题、敬请告知。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    TI__Guru**** 2455560 points
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    您好、John：

    感谢您的答复。

    我们需要直流连续180A 、 Ciss 电容1000pF、输出电容 Coss 小于300pf。

    腹膜前动脉

    罗伯特·博世有限公司

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    TI__Guru**** 2455560 points
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    您好、Prema、

    感谢您提供最新信息。 如此高的电流需要一个具有极低 RDS (ON)的 FET。 芯片尺寸与导通电阻成反比：导通电阻越低=裸片尺寸越大、相当于 FET 的输入和输出电容越大。 对于 Ciss < 1000pF 且 Coss < 300pF 的情况、TI 没有任何可以满足您电流要求的 FET。 例如、CSD19502Q5B 的典型值为 Ciss = 3570pF、而 Coss = 925pF、这超过了您的要求。 为了支持180A 连续电流、您需要并联6个 CSD19502Q5B FET。 Ciss 和 Coss 乘以远超过电容限值的并联 FET 的数量。 请告诉我还能做些什么来帮助您。

    谢谢。

    约翰

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    您好、John：

    感谢您的意见。

    我需要从下面提到这一点的输入中得到一些澄清。

    如何将下面随附的图关联到(为了支持180A 连续电流、您需要在此处并联6个 CSD19502Q5B FET)

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    TI__Guru**** 2455560 points
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    上图摘自此器件型号 CSD19502Q5B

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    TI__Guru**** 2455560 points
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    您好、Prema、

    我建议并联6个 FET 时应基于计算得出的传导损耗(I² x RDS (on))。 我重新检查了分析结果、发现有人错误地认为需要的并联 FET 的数量。 如果使用导通电阻最低的 FET CSD19506KTT、我建议使用6个并联 FET (30A/FET)、这相当于大约2.64W/FET。 此封装的最大功耗约为4W。 如果您使用 CSD19502Q5B、那么我建议并联8 - 10个 FET。 使用8个 FET (22.5A/FET)时、每个 FET 的比例功率损耗约为2.85W。 使用10个 FET (18A/FET)时、功率损耗为1.82W/FET。 此封装能够实现约3W 的最大功率耗散。 您的应用是什么以及如何使用 FET？

    谢谢。

    约翰

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    您好、John：

    现在、我调整了 Rdson 的值、请检查以下提到的参数。

    直流持续最小电流150A 至250A

    VGS = 10V

    3.低 Rdson 示例(25m Ω 及以下)

    输入和输出电容低

    示例：Ciss 大于2000Pf，输出电容>500pf

    5.VDSS：150V

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    您好、John：

    如何计算 MOSFET 的 Cgs？

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    PREMA、

    约翰出去了,明天会回到办公室。

    我会尝试回答我能在同一时间.

    如上面第5点所示、您需要 MOSFET 的150V BVdss、很遗憾、如果是这种情况、很抱歉、我们无法提供任何产品、因为我们的 MOSFET 最大 BVdss 为100V。

    根据您提供的参数、是应使用降压或1/2桥之类的开关电源、还是应使用 ORIGIN 直流负载开关型电源？

    数据表图5中的 Cgs 计算显示 Ciss = CGD + Cgs。  Coss = Cds + CGD、 Crss = Cgs。

    因此、要计算 Cgs = Ciss Crss、

    非常感谢

    克里斯·布尔

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    您好、Prema、

    跟进 Chris 的回应。 我可以为您提供哪些其他信息？

    谢谢。

    约翰

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    此 FET CSD19506KTT 支持多大的持续电流？

    请检查并告诉我。

    2.我们需要在基于霍尔的电流传感器芯片中实施设计并提供一定的保护。

    请提供部件号。

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    TI__Guru**** 2455560 points
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    您好、Prema、

    FET 数据表中的连续电流额定值可能令人困惑。 请参阅下面链接中有关 MOSFET 连续电流额定值的博客。 受封装限制的电流是硅片和封装之间内部连接的函数。 假定有一个理想的散热片、芯片限值被计算、如博客中所示。 一个应用中的最大电流在很大程度上取决于 PCB 布局和层叠、最大工作 TJ、环境温度和空气流量。 对于 D2PAK、最大功耗约为4W (请参阅下面第二个链接中的文章)。 对于 TAMb = 25°C 和 TJmax = 175°C、这相当于大约29.5A 的连续电流。 为确保可靠性、最高工作结温通常由15°C 降额至50°C、具体取决于客户的要求。

    我只负责 TI 分立式和电源块 MOSFET。 我将把该主题重新分配给霍尔效应电流传感器的传感器应用团队。

    https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SSZTCP0

    https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SSZT389

    谢谢。

    约翰

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    您好、John：

    感谢您的参与。

    您好、Prema、  

    如果我理解正确、您想使用  CSD19506KTT FET 以及隔离式磁性霍尔效应电流传感器进行保护？

    在推荐器件之前、请确认您的最小值、最大值和 RMS 电流。  隔离的低压侧有哪些电源？

    提前感谢您的澄清、

    乔