大家好、
客户使用的 DRV8353FHRTAR。 电压为48V (当前调试为32V)。 FOC 算法:
根据电路模块设计电机前置驱动模块。 但是、当器件处于启用状态并为前置驱动器芯片提供6个互补方波时、前置驱动器芯片会立即报告故障。 同时、预驱动芯片的温度瞬间猛增并受损。 图片中的 MOS 型号 IPT015N10N5ATMA1和 MOS 型号 BSC034N06NS 替换和验证后都有同样的问题。



x 三相 外部电流检测
此致、
安妮
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大家好、
客户使用的 DRV8353FHRTAR。 电压为48V (当前调试为32V)。 FOC 算法:
根据电路模块设计电机前置驱动模块。 但是、当器件处于启用状态并为前置驱动器芯片提供6个互补方波时、前置驱动器芯片会立即报告故障。 同时、预驱动芯片的温度瞬间猛增并受损。 图片中的 MOS 型号 IPT015N10N5ATMA1和 MOS 型号 BSC034N06NS 替换和验证后都有同样的问题。



x 三相 外部电流检测
此致、
安妮
尊敬的 Annie:
感谢您的耐心等待。
这可能是一个过流故障、因为我们可以看到、在故障和运行期间驱动器温度会急剧上升。 可能是过流跳闸点过高、驱动器在损坏前未能关断。
标记时、此故障是否会关闭外部 MOSFET 运行?
我还注意到、IDRIVE 设置值非常高(450/IDE 900mA)。 我们是否可以将栅极电流降至50/GND (IDRIVE 连接到100mA)并重新评估?
此致、
-约书亚
你好、Joshua、
此故障是否在标记时关闭外部 MOSFET 操作? [/报价]MOSFET 未成功驱动、前置驱动器的温度急剧上升并受损。
我还注意到900mA 设置设置非常高(450/IDE)。 我们可以将栅极电流减速至50/GND (100mA 连接到 GND)并重新评估吗?客户尝试降低 ID、确实能够打开和关闭 MOSFET。 他已经调整了栅极电阻器和 ID 配置值、并制作了原型。 验证是否可以解决此问题需要一些时间。
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