大家好、
您能帮助检查 DRV8340客户设计的外部电路吗？
VDRAIN 之间是否必须串联一个电阻器？
DRV81050的电源与 MOSFET 相同、在 MCU 接地之间使用一个公共电感器。
问题是：我应该如何连接 AGND 和 PGND。 根据原理图、这是正确的吗？ ANDG 与 MCU 的 GND 相连。 PGND 是否与 MOS 驱动器电源的 GND_DRV 兼容？
您好、Zoe、
原理图看起来不错、但我需要几点评论：
1. CPL 和 CPH 之间的电容值错误、应为0.047uF
2.从 VM 到 PGND 的4.7uF 电容器在哪里？
从 MCU 到驱动器输入端使用电阻器的原因是什么？
4.
1. VDRAIN 之间是否必须有一个串联电阻器？
您是否是指客户希望在 VDRAIN 之间添加一个电阻器？ 没有必要
5.
：如何连接 AGND 和 PGND。 根据原理图、这是正确的吗？ ANDG 与 MCU 的 GND 相连。 PGND 与 MOS 驱动器电源 GND_DRV 兼容？
是的、这是正确的。 最好将这些接地分开。
是的、这可以作为 TLE9180D 的替代方案。
7.
2. DRV81050的电源与 MOSFET 是相同的、它在 MCU 的接地端之间使用了一个公共电感器。 [/报价]我不确定这到底意味着什么、但众所周知 PGND 具有非常大的噪声、因此最好将这些信号与敏感信号的接地分离开来。
此致、
亚拉
您好、 Yara。
随附详细的功率级 MOSFET 外部电路发送。 谢谢！
您好、Yara。
客户希望确保 以正确的方式连接了 GND。
它们将 AGND 与 MCU 电源相连。 通过 VBAT_FLT 连接 VM。 PGND 通过 GND_DRV 连接。 VBAT_DRV_CLU 与外部 MOSFET 连接。 非常感谢您的帮助！
