您好 TI
我在,中使用 DRV8714 μ A 当出现开路负载时、我将睡眠置于高电平、然后设置寄存器。
I 测试 SO1和 SO2的电压、Vso1=3.4V,Vso2=2.2V、这会让我感到困惑。
我的问题是
1.为什么 Vso1和 Vso2的差异太大?
2.负载开路时、我认为 Vso1和 Vso2应该是2.5V、不符合我的测试结果。
寄存器设置:
0x07set:0xe6
0x08set:0x42
0x28SET:0x07
0x27SET:0x07
其他寄存器为默认设置。
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您好 TI
我在,中使用 DRV8714 μ A 当出现开路负载时、我将睡眠置于高电平、然后设置寄存器。
I 测试 SO1和 SO2的电压、Vso1=3.4V,Vso2=2.2V、这会让我感到困惑。
我的问题是
1.为什么 Vso1和 Vso2的差异太大?
2.负载开路时、我认为 Vso1和 Vso2应该是2.5V、不符合我的测试结果。
寄存器设置:
0x07set:0xe6
0x08set:0x42
0x28SET:0x07
0x27SET:0x07
其他寄存器为默认设置。
您好!
感谢您的更新。 如果 SPx/SPNx 引脚短接在一起且0V、您的 VSO 非常奇怪。
1) 1)您测试了多少个单元? 如果只有1个、则可能是器件损坏或以某种方式发生故障。 您能测试第二个吗?
2) 2)如果1)不是根本原因、您能否分享原理图?
3) 3)您要测试哪个 DRV8714-Q1?

4) 4)什么是 AREF 电压输入?
如果 默认情况下为5V、ARF/2、则 VSO 应为~ 2.5V、此时 SPx=SNx=0V。
如果 默认为3.3V、AREF/2、则 VSO 应为~ 1.65V、SPx=SNx=0V。
如果将 CSA_DIV_1和 CSA_DIV_2更改为 ARF/8,是否会看到 VSO 发生变化?

此致
森田真也
您好!
感谢您的提问。 更改主题时、请下次生成新帖子。 E2E 旨在用于将来 SoMone 的参考。
大容量电容取决于许多因素、主要与应用相关、而不是 DRV。 这是有关该主题的应用手册。
https://www.ti.com/lit/an/slta055/slta055.pdf
但总的来说、我建议尝试使用~470+uF 级大容量电容器。 此外、1uF 和陶瓷电容器靠近外部 FET、用于补偿每个高侧 FET 的 EMI、1uF +100nF 陶瓷电容器接近于 DRV8714Q1 PVDD 引脚。
此致
森田真也