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[参考译文] DRV8908-Q1:DRV8908规格

Guru**** 1624225 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8908-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1354045/drv8908-q1-drv8908-spec

器件型号:DRV8908-Q1

,Shinya K ö m

感谢您的全力支持。

1. SM:假设有 DRV8908-Q1问题。 同步整流开/关不同。

问:,这个不同的?您可以提供更多的详细信息吗?也许其中的数据会更好。

连续模式是持续开启或关闭。 无 PWM 操作。

问:对于这种模式,如果我们使用双通道并联,这两个通道将同时打开和关闭?

SR 也可与并行模式配合使用。 Hbx_SR=1b (2.5V/us)可以。 请参阅数据表中的注释。

问、对于选择不同的 SR、您可以帮助分享有关差异的详细信息吗?

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    您好、Eric、

    请给我24小时的时间来研究这件事、并回复给您。

    此致!

    凯尔蒂  

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    你好,Keerthi,

    越详细越好、因为我的客户对这些技术细节非常感兴趣。

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    请注意、我知道这些常见的答案、但您可以提供更多有关这方面的详细信息吗、就像我们使用低 SR 将导致 MOSFET 导通时间很长、并且如果我们选择高 SR、它将导致过冲一样。  

    对于其它问题,请多说一些意见,因为我支持 中国最优秀的客户,他们对这些技术细节很感兴趣。

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    您好、Eric、

    关于选择压摆率、它需要在开关期间的功率耗散与 EMI/EMC 问题之间进行权衡。 您能告诉我应用程序和客户是谁吗、所以我可以考虑回答您的其他问题吗?

    此致!

    凯尔蒂

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    我将通过 WebEx 与您讨论

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    8908调试问题如下所示、并在随附的图像中进行了介绍:
    问题1:下行管是否会消除来自 PWM 发生器的信号
    问题2:同步整流与异步整流的使用
    问题3:电压上升斜率选择
    问题4:运行模式是否可以
    问题5:在软件调试期间的一些想法和问题

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    尊敬的 Keerthi:

    对于这些图像,我已经通过电子邮件发送给您。

    Br

    Eric。

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    您好,Keerthi,

    ,,上述问题,您可以帮助检查 PWM 频率精度,我们的客户已执行此测试,对于 PWM 频率80Hz 、测试结果为87 μ s、因此他们认为此精度不是很好。

    问题2. 当该器件同时运行连续模式并并行两个输出时,我们是否需要 分别启用这两个输出?

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    这意味着、如果 我们只能 通过 SPI 来启用这两个输出? 我们能否同时启用它,原因您知道,我们需要很高的电流、所以我们将这两个输出并联。 n‘t,我们无法同时启用这两个输出 前一个需要承受全部电流要求、然后才能启用下一个输出  

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    您好,Keerthi,

    请帮助检查 PWM 占空比精度。

    衷心感谢。

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    尊敬的 Keerthi:

    请帮助检查单个通道和两个并联通道之间的上升时间差、是否存在任何差异。

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    尊敬的 Keerthi:  

    对于 drv8908, HS & LS 我们使用相同的 MOSFET ,但对于一个 H-桥,我们通常使用一个 PMOS 在高侧和一个 NMOS 在低侧,为什么我们使用两个相同的 MOSFET 为 drv8908?这两种模式是否有任何 优缺点?

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    您好、Eric、

    1)他们是否使用我们的 EVM 来评估 PWM 精度以及精度指标的构成。 输入 PWM 到输出 PWM 中有多大的误差。 您能提供更多详细信息吗?

    q1.除了以上问题,您可以帮助检查 PWM 频率精度,我们的客户已经对此进行了测试,对于 PWM 频率80Hz,测试结果是87 μ,所以他们认为这个精度不太好。

    2) 2)我们使用2个 NMOS 而不是 PMOS、主要是因为它们各自的尺寸、NMOS 比 PMOS 小得多(有助于减少裸片面积)、但缺点是 HS FET 需要电荷泵或自举。

    我会看看您的其他问题、并在明天向您通报最新情况。

    此致!

    凯尔蒂

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    您好,Keerthi,  

    他们使用 EVM 进行测试,、那么测试结果是当他们将 PWM 频率设置为80Hz 时、实际值为87HZ、但我们似乎没有在数据表中对该项进行说明。

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    您好、Eric、

    他们是否曾尝试测量不同的 PWM 值、还是仅测量一个值?

    此致!

    凯尔蒂

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    尊敬的 Keerthi:

    请尝试解决这些问题、原因是该器件为 Din、因此我们必须为 Dwin

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    您好、Eric、

    多给我一天时间来执行该测量。

    此致!

    凯尔蒂  

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    尊敬的 Keerthi:

    对于这些未回答问题的任何反馈  

    Br  

    埃里克

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    您好、Eric、  

    我已订购 EVM、但仍需要执行测试。

    HB1-4和 HB5-HB8是正确的、属于同一组寄存器映射。 因此它们可以同时关闭。 如果它们不属于同一组、SPI 会有一些延迟。 他们是否有原理图、或者他们是否知道自己用于 HS 的半桥是什么、用于 LS 的半桥是什么?

     此致!

    凯尔蒂

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    但我的客户说、

    他们使用连续模式, HB1&3并联,但他们需要单独通过 SPI 启用 HB1&HB3 ,所以会有一些延迟  

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    您好、Eric、

    您是说 HB1和 HB3是 HS 和 LS、还是反之? 如果它们同时是 HS 或 LS、则可以同时启用它们、因为 HB1-4是同一组寄存器映射的一部分

    此致!

    凯尔蒂

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    您好,Keerthi,

    是的,对于 HS 驱动器是并联的,

    但它们似乎需要由 SPI 逐个启用、因此会有一些延迟

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    对于项目2、我们在器件中使用2 NMOS,如果我们为它们使用相同的 PWM 发生器,我认为在发生击穿的情况下、LS 或 HS NMOS 之前会有一个逆变器。

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    您好、Eric、

    我们有一个插入的死区时间来防止击穿:

    此致!

    凯尔蒂

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    尊敬的 Keerthi:  

    您是否意味着低侧 MOSFET 没有逆变器?  

    不喜欢所附的图像?

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    您好、Eric、

    这是数据表中的一个非常简化的模型:

    此致!

    凯尔蒂

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    您好,Keerthi。

    您是否意味着 HS 和 LS 分别具有独立的栅极控制器?

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    Eric、

    是的、正确。  每个 FET 都是单独在内部控制的、因此可以插入死区时间。  不仅仅是逆变器。  Keerthi 上面的跨传导的图像是最好的方式来显示它。   

    此致!

    雅各布  

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    您好,Jacob,  

    我们如何知道此器件是否支持数据表中的 TTL 或 COMS、您可以帮助说明一下?

    如何在数据表中找到逻辑电平的上升和下降时间

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    对于不同的值,、他们只需要知道我们的器件的精度

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    嗨、团队,

    您可以帮助检查该项,此应用是否有任何延迟?

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    您好、Eric、

    我将关闭该线程、因为这对于电子邮件线程来说是多余的。  

    此致!

    凯尔蒂