[参考译文] DRV8908-Q1：DRV8908规格

您好、Eric、

请给我24小时的时间来研究这件事、并回复给您。

此致！

凯尔蒂  

你好，Keerthi，

越详细越好、因为我的客户对这些技术细节非常感兴趣。

请注意、我知道这些常见的答案、但您可以提供更多有关这方面的详细信息吗、就像我们使用低 SR 将导致 MOSFET 导通时间很长、并且如果我们选择高 SR、它将导致过冲一样。  

对于其它问题,请多说一些意见,因为我支持 中国最优秀的客户,他们对这些技术细节很感兴趣。

您好、Eric、

关于选择压摆率、它需要在开关期间的功率耗散与 EMI/EMC 问题之间进行权衡。 您能告诉我应用程序和客户是谁吗、所以我可以考虑回答您的其他问题吗？

此致！

凯尔蒂

我将通过 WebEx 与您讨论

8908调试问题如下所示、并在随附的图像中进行了介绍：
问题1：下行管是否会消除来自 PWM 发生器的信号
问题2：同步整流与异步整流的使用
问题3：电压上升斜率选择
问题4：运行模式是否可以
问题5：在软件调试期间的一些想法和问题

尊敬的 Keerthi：

对于这些图像,我已经通过电子邮件发送给您。

Br

Eric。

您好，Keerthi，

，，上述问题，您可以帮助检查 PWM 频率精度，我们的客户已执行此测试，对于 PWM 频率80Hz 、测试结果为87 μ s、因此他们认为此精度不是很好。

问题2. 当该器件同时运行连续模式并并行两个输出时，我们是否需要 分别启用这两个输出？

这意味着、如果 我们只能 通过 SPI 来启用这两个输出？ 我们能否同时启用它，原因您知道，我们需要很高的电流、所以我们将这两个输出并联。 n‘t，我们无法同时启用这两个输出 前一个需要承受全部电流要求、然后才能启用下一个输出  

您好，Keerthi，

请帮助检查 PWM 占空比精度。

衷心感谢。

尊敬的 Keerthi：

请帮助检查单个通道和两个并联通道之间的上升时间差、是否存在任何差异。

尊敬的 Keerthi：  

对于 drv8908, HS & LS 我们使用相同的 MOSFET ,但对于一个 H-桥,我们通常使用一个 PMOS 在高侧和一个 NMOS 在低侧,为什么我们使用两个相同的 MOSFET 为 drv8908？这两种模式是否有任何 优缺点？

您好、Eric、

1)他们是否使用我们的 EVM 来评估 PWM 精度以及精度指标的构成。 输入 PWM 到输出 PWM 中有多大的误差。 您能提供更多详细信息吗？

q1.除了以上问题，您可以帮助检查 PWM 频率精度，我们的客户已经对此进行了测试，对于 PWM 频率80Hz，测试结果是87 μ，所以他们认为这个精度不太好。

2) 2)我们使用2个 NMOS 而不是 PMOS、主要是因为它们各自的尺寸、NMOS 比 PMOS 小得多(有助于减少裸片面积)、但缺点是 HS FET 需要电荷泵或自举。

我会看看您的其他问题、并在明天向您通报最新情况。

此致！

凯尔蒂

您好，Keerthi，  

他们使用 EVM 进行测试，、那么测试结果是当他们将 PWM 频率设置为80Hz 时、实际值为87HZ、但我们似乎没有在数据表中对该项进行说明。

尊敬的 Keerthi：

请尝试解决这些问题、原因是该器件为 Din、因此我们必须为 Dwin

您好、Eric、

多给我一天时间来执行该测量。

此致！

凯尔蒂  

尊敬的 Keerthi：

对于这些未回答问题的任何反馈  

Br  

埃里克

您好、Eric、  

我已订购 EVM、但仍需要执行测试。

HB1-4和 HB5-HB8是正确的、属于同一组寄存器映射。 因此它们可以同时关闭。 如果它们不属于同一组、SPI 会有一些延迟。 他们是否有原理图、或者他们是否知道自己用于 HS 的半桥是什么、用于 LS 的半桥是什么？

 此致！

凯尔蒂

但我的客户说、

他们使用连续模式, HB1&3并联,但他们需要单独通过 SPI 启用 HB1&HB3 ,所以会有一些延迟  

您好、Eric、

您是说 HB1和 HB3是 HS 和 LS、还是反之？ 如果它们同时是 HS 或 LS、则可以同时启用它们、因为 HB1-4是同一组寄存器映射的一部分

此致！

凯尔蒂

您好，Keerthi，

是的，对于 HS 驱动器是并联的，

但它们似乎需要由 SPI 逐个启用、因此会有一些延迟

对于项目2、我们在器件中使用2 NMOS，如果我们为它们使用相同的 PWM 发生器，我认为在发生击穿的情况下、LS 或 HS NMOS 之前会有一个逆变器。

尊敬的 Keerthi：  

您是否意味着低侧 MOSFET 没有逆变器？  

不喜欢所附的图像？

您好、Eric、

这是数据表中的一个非常简化的模型：

此致！

凯尔蒂

您好，Keerthi。

您是否意味着 HS 和 LS 分别具有独立的栅极控制器？

Eric、

是的、正确。  每个 FET 都是单独在内部控制的、因此可以插入死区时间。  不仅仅是逆变器。  Keerthi 上面的跨传导的图像是最好的方式来显示它。   

此致！

雅各布  

您好，Jacob，  

我们如何知道此器件是否支持数据表中的 TTL 或 COMS、您可以帮助说明一下？

如何在数据表中找到逻辑电平的上升和下降时间

对于不同的值，、他们只需要知道我们的器件的精度

嗨、团队，

您可以帮助检查该项，此应用是否有任何延迟？

您好、Eric、

我将关闭该线程、因为这对于电子邮件线程来说是多余的。  

此致！

凯尔蒂