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您好 TI 团队
存在 负载(线圈6.8 Ω)触觉应用、输入电压21.4V、Vref 为5V、ISEN 连接到 GND。
该实验发现、当输入电压为21.4V 时、OUT 引脚和 IN 引脚(PWM)的电压占空比与 输入电压为12V 时不同。 除其他实验外、当没有负载且 输入电压为 21.4V 或12V 时、OUT 引脚和 IN 引脚(PWM)的电压占空比相同、如图所示。
我想了解 输入电压为什么为 21.4V、Vref 为5V、ISEN 连接到 GND (似乎符合 Drv8231的规格)、但电压占空比不同？ 是否有任何未被注意到的器件？
上述条件(负载(线圈 6.8 Ω)、 输入电压21.4V、Vref 为5V、ISEN 连接至 GND)是否存在任何问题？ 谢谢你!
你好，David
波形如下：(CH1：OUT-；CH2：INT1；CH3：OUT- After Low Pass Filter；CH4：INT2)
1.VM：12V、 负载：输出连接线圈(6.8 Ω)、Verf：5V、 ISEN 连接至 GND
2. VM：21.4V， 负载：输出 连接线圈(6.8ohm)，Verf:5V， ISEN 接地
VM：12V、 负载： 无连接线圈输出、Verf：5V、 ISEN 连接到 GND
3. VM：21.4V， 负载： 无输出连接线圈，Verf:5V， ISEN 连接 GND
4. 输入信号(IN1与 IN2)频率 为38.46KHz。(CH1：INT1；CH3：INT2)
谢谢！！！！
你好，David
我整理了一些问题、如下所示：
1. 为什么它们的输出(在低通滤波器之前和之后)波形在负载：输出连接线圈(6.8 Ω)和负载： 无连接线圈之间不同？ IC 是否有任何激活机制？
VM：21.4V、 负载：输出 连接线圈(6.8 Ω)、Verf：5V、 ISEN 连接至 GND
VM：21.4V、 负载：输出 无连接线圈、Verf：5V、 ISEN 连接至 GND
VM：12V、负载：输出 连接线圈(6.8 Ω)、ISEN 连接至 GND、当 Vref 为5V 或3.3V 时、IC 是否不限制输出 电流？ 为什么当 Vref 为5V 或3.3V 时、输出波形(低通滤波器之前和之后)会不同？
参考电压：5V
3、问题2继续、VM：12V、负载：输出 连接线圈(6.8 Ω)、ISEN 连接 GND、Vref 为5V。 为什么 当 VM：12增大到21.4V 时输出波形(在低通滤波器之后)会发生变化？ IC 是否激活任何机制？
VM：12V
4、继续下面的问题3、为什么负载变化(输出 连接线圈6.8到12.2欧姆)、VM：21.4V、Vref：5V、输出 波形(在低通滤波器之后)改善了？ 但当 Vref 为3.3时则不行。
电压:21.4V ,负载:输出 连接线圈(12.2欧姆), Vref :5V
谢谢~~~
你好，David
低通滤波器仅用于方便观察不同条件(如 VM、Vref、ISEN)下 H 桥输出信号的差异。 低通滤波器不会添加到实际电路中。
设计要求为 VDD H：21.4V (主板提供的最大电压)、线圈电阻需要与8.24欧姆匹配。 下图显示了电路、OUT-H =：VM、Vref =5V 或3.3V；ISEN 连接到 VDD、OUTP 和 OUTN 焊接点将连接到线圈。 对要求或电路设计器件有疑问？
布局部分尚未启动。 谢谢！！！
大家好、Daven、
如果可能、我会尝试将 VREF 连接到 GND、而不是 DGND。 DRV8231EVM 将所有输入信号连接到 GND 基准。
完整原理图可在 DRV8251EVM 评估板| TI.com 产品页面的硬件文件中找到。
此致！
大卫
大家好、Daven、
输出信号可能是由于没有足够的大容量电容造成的。 我建议增加大容量电容和它们的额定电压。
EVM 原理图示例。
此致！
大卫
