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[参考译文] MCT8329EVM：GVDD

admin
Guru**** 2448780 points
Other Parts Discussed in Thread: MCT8329EVM, MCT8329A, CSD19534Q5A, CSD18536KTT

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1366769/mct8329evm-gvdd

器件型号：MCT8329EVM
主题中讨论的其他器件： MCT8329A、 CSD19534Q5A、 CSD18536KTT

工具与软件：

我收到 GVDD_UV_Fault。

我检查了 GVDD 引脚、我连接了一个4节串联电池包、PVDD 的电流电压为16V、我能够连接 MCT8329EVM 并读取和写入寄存器。

GVDD 的电压最初为13V、但一旦我通过 I2C 发出速度命令、GVDD 就会变为零、并触发 GVDD_UV_Fault。

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    TI__Guru**** 2448780 points
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    当速度命令为零时、GUI 会清晰地指示这一点

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    尊敬的 Prabhat：

    今天是 美国的假日、我们将在一周结束前提供回复。

    此致、

    Anthony

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    尊敬的 Prabhat：

    在 发出速度命令时、您能否提供 PVDD、CPH、GVDD 和 BSTA 的捕获信息？

    此致、

    约书亚

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    请查看随附的屏幕截图

    e2e.ti.com/.../Capture.zip

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    尊敬的 Prabhat：

    1. 有多少 MCT8329A 单元出现此问题？
    2. 您是否对所使用的 MCT8329EVM 进行了任何修改？
    3. 器件的栅极驱动器侧似乎有短路。 您能否测量以下引脚之间的电阻以查看是否存在短路？
      1. GLA 和 LSS
      2. GLB 和 LSS
      3. GLC 和 LSS
      4. GHA 和 SHA
      5. GHB 和 SHB
      6. GHC 和 SHC
      7. 每个低侧 MOSFET 的漏源极

    此致、

    约书亚

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    TI__Guru**** 2448780 points
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    是的、桥臂 B 的 MOSFET 出现故障。

    我可以更改这些 MOSFET 吗、我没有确切的器件更换、但我可以使用吗

    CSD19534Q5A

     但呢？

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    TI__Guru**** 2448780 points
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    IRFS7530TRL7PP

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    尊敬的 Prabhat：

    这两种 MOSFET 都 采用与采用 TO-263封装的 CSD18536KTT MOSFET 不同的封装、并且它们可能无法放置在  CSD18536KTT 所在的电路板上。 如果这些 MOSFET 中的任何一个适合、则可以使用它们来代替 电路板上的 CSD18536KTT。

    如果您使用不同的 MOSFET、我建议更换所有 MOSFET、前提是将其中一个更改为不同的 MOSFET。   

    您可以在此处查找采用相同封装的 MOSFET： https://www.ti.com/power-management/mosfets/products.html#1241=N-channel&2954=TO-263&。

    为了使半桥设计更加稳健、请考虑添加 栅极电阻器 和/或 RC 缓冲器。 MCT8329EVM 上已提供了实现这些功能所需的组件的空间。

    此致、

    约书亚