工具与软件：
Husqvarna 现在使用我们的 DRV 制作了他们的第一个原型、他们对 DRV8329的上升和下降时间调整有疑问、请参阅以下问题。
您能看一下吗？
邮件1.
您好！
我们现在正在测试 MCBT10、使用 DRV8329栅极驱动器时、我不确定是否存在
我想在此应用中更改上升和下降时间。 在电流值下、上升时间为12至18ns、下降时间为30至45ns、具体取决于我们使用的功率 FET 品牌。
我的上升和下降时间均目标为50ns、因此、我将 R701和 R702更改为200欧姆、将 R704和 R705更改为58欧姆。 (针对所有三个相位)
更改值后、我得到的上升时间为44ns (之前为12ns)、下降时间为107ns！！(之前为35ns)。
这是我所能期待的吗？ 如果是、为什么？ 有没有更好的方法可以更改上升和下降时间。 (也许可以添加电容器、而不是与 R735和 R736并联/？
e2e.ti.com/.../MCACD30N04HE3_5F00_PDFN5060_5F00_8D_5F002D00_3365684.pdf
邮件2.
我看了一下它(第9.2.1.1.3章"栅极驱动电流"和"9.2.1.1.4栅极电阻器选型")、这是相当真实的。 (起初、我不知道自己需要什么时候。) 它适用于高侧、但不适用于低侧。 时间要长得多。 您可以理解、考虑到具有 VDD +自举电压的高侧负载(在本例中约为33V)、而低侧仅加载约13V、为什么低侧侧面比高侧大约长3倍。 我的测量结果确实如此。
51欧姆正侧面=12ns 负侧面= 36ns
然后、当我使用120欧姆到高侧和75欧姆到负侧进行测试时、变为正侧面=36ns 负侧面= 73ns、这是合理的。
目标为正负均约50ns、这就是我再次改变的原因。
200欧姆至高侧、58欧姆至负、这会导致正侧面=46ns、这是我的目标、但负侧面= 107ns、这我不明白。 我仔细检查了电阻值和位置值、它们是正确的。
我使用的晶体管需要相对较少的电荷即可启动。
总栅极电荷 QG 23.
栅极-源极电荷 Qgs 3.5
栅漏电荷 Qgd 6.5
我们是否因为栅极电流过低而出现现象？
将数据表附加到晶体管上。
