工具与软件:
尊敬的专家:
我的客户发现在空闲模式下、SH1/SH2电压全部略高于 PVDD。 我们甚至拆下直流电机本身。
在 IDLE 模式中、MOSFET 不打开、诊断也不打开(PU/MOSFET PD 被禁用)。
SH1/SH2都具有用于电压采样的400k Ω 下拉电阻器网络、因此在这种情况下、我认为 SH1/SH2应该接近0V。
我不知道为什么会超过 PVDD 电压。
SH1/SH2是否会有一些泄漏电流?
谢谢!
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工具与软件:
尊敬的专家:
我的客户发现在空闲模式下、SH1/SH2电压全部略高于 PVDD。 我们甚至拆下直流电机本身。
在 IDLE 模式中、MOSFET 不打开、诊断也不打开(PU/MOSFET PD 被禁用)。
SH1/SH2都具有用于电压采样的400k Ω 下拉电阻器网络、因此在这种情况下、我认为 SH1/SH2应该接近0V。
我不知道为什么会超过 PVDD 电压。
SH1/SH2是否会有一些泄漏电流?
谢谢!
尊敬的 Keerthivasan:
原理图如下:
e2e.ti.com/.../5_5F00_EPBi.pdf
谢谢!