[参考译文] DRV8251A：输出电容

您好！

感谢您的提问。 我们的专家将审查您的问题,但7月4日的美国假期可能会导致几天的延迟。

嗨、Dennis、

我已经联系我们的团队、询问这一点、看看444nF 是否合理。  我查看了手头的信息、找不到任何驱动器的输出电容、但我们会看到他们说的。  给他们几天时间来回应我。   

只是好奇、您能提供有关您的负载的更多信息吗？ 电流、频率等   我不会认为此器件的200kHz 频率足以支持超声波。   

此致！

Jacob

你好、Jacob、

444nF 显然是错误的。

另一个具有类似参数(50V VDSS、300m Ω 导通状态电阻)的 FET 是 VN3205、pF 它将使半桥电容约为140-240 pF。 我知道这是 Microchip 的器件、其制造工艺可能与 TI 器件不同、但我无法找到具有正确参数的 TI 器件。 我知道谐振应用的有效输出电容是一个棘手的概念(MOSFET 漏源电容随施加的电压而变化很大)、但粗略地猜测就足够好了。

频率约为100kHz、电压为30-48V、负载电流约为200 mA RMS (高度可变、具体取决于如何实现谐振/滤波)。 这是直流电机驱动器的一种不寻常的应用、但这是我们可以找到的最便宜的芯片 H 桥 、满足了 D 类驱动器的电气需求且具有内置电流检测功能。 我乐于接受其他建议、我还没有机会全面了解 TI 的 DRV*产品系列。