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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1393400/drv8770-drv8770
工具与软件：
我将 DRV8770用于继电器驱动。 我们是否需要从外部为自举电容器充电。 如果没有、那么应如何配置 IC、以便为自举电容器充电、从而运行高侧 MOSFET。
由于 自举电容器是通过低侧 FET 充电的、因此此器件不支持100%占空比。 至少需要一些低侧开关来保持电容充电。 如何计算导通低侧 FET 所需的最坏情况频率和 Ton？
对于纯开/关应用(具有100%占空比)的继电器类型、您建议使用哪种器件？
我们应该使用 H 桥低侧 MOSFET 为自举电容器充电、或者需要其他充电电路？ 用于继电器 线圈 PWM (开关的总持续时间为2-4毫秒)。闭锁继电器。
您好！
请遵循 数据表第8.2节"典型应用"的应用原理图、第14页。 不需要另一个充电电路。 电桥 必须由占空比小于100%的 PWM 输入驱动、否则自举 将不起作用、并会导致栅极驱动器电源欠压锁定(GVDDUV)。
请参阅 数据表第8.2.1节的设计要求、第15页。 计算并确定电容器值后、可以 通过使用 R (LS-FET 的 Rdson)、CBSTA/B 和 GVDD 电压、确定将其充满电所需的电容器充电时间(LS-FET 为 TON)。 对于100nF、您可能需要大约50ns 至100ns
对于纯开/关应用(100%占空比)这种继电器类型、您推荐使用哪种器件？
工作电压和电流要求是什么？ PWM 控制要求？ 范围有何影响？ 是否需要电流调节？ 3)电流检测要求？ 等等 谢谢你。
此致、Murugavel
