[参考译文] DRV8705-Q1：DRV8705-Q1

您好！  

1.当 高侧开关未导通时、GLx 从 GVDD 获取电压。

2.未驱动高侧开关时、GHx 和 GLx 带有下拉电阻器、使得 GHx = SHx 且 GLx = GND。

3. 在 H/W 器件型号上、VDS 过流模式固定为逐周期、tVDS_DG 固定为4 µs。 这意味着如果发生过流(短路)、将每4us 禁用并检查一次输出(SHx)、直到故障清除。  

4.发生 VDS 过流时、nFAULT 引脚将被驱动为低电平、无需代码。  

5.如果可能、请说明您是如何运行简短测试的？ 您是使用导线将 SH1和 SH2短接在一起、还是使用 SHx 短接至 GND？

此致！

David

David、您好！  

第一个问题是、 由谁为 SHx 供电、SHx 和 GHx 上电后、SHx 和 GHx 之间的电荷泵流是怎样的？

在第四个问题上、如果发生 VDS 过流、nFAULT 引脚将被驱动为低电平。 但是、当短路故障仍然存在时、它将始终清除 FAULT 位、如图所示。 不应该在故障消失前将 nFAULT 保持在低电平？

在第五个问题上、 在驾驶8705正向转弯时、我使用一根导线将 SHX 短接到地面。

此致！

Jie

尊敬的 Jie：

在第一个问题上、 由谁为 SHx 供电、接通电源后 SHx 与 GHx 之间电荷泵的流动是什么？

该电荷泵允许高侧栅极驱动器在宽输入电源电压范围内相对于源极电压正确地偏置外部 N 沟道 MOSFET。

数据表中的图和上面张贴的图可以帮助显示如何使用 VCP 来偏置 HS FET 并由 PVDD 供电。  

在第四个问题上、如果发生 VDS 过流、nFAULT 引脚将被驱动为低电平。 但是、当短路故障仍然存在时、它将始终清除 FAULT 位、如图所示。 在故障消失之前、您不应该将 nFAULT 保持在低电平？

这似乎是预期行为。 逐周期模式将不断重新启用输出、nFAULT 将保持高电平、并不断检查是否存在故障。 在锁存故障模式下、器件的行为将如您所述、nFAULT 在检测到故障后变为低电平、并保持低电平、直到通过 CLR_FLT 清除故障。 遗憾的是、硬件变化固定为逐周期模式、抗尖峰脉冲时间为4 μ s。  

该器件的 SPI 版本允许您进入锁存故障模式。  

https://www.ti.com/tool/DRV8705S-Q1EVM 

此致！

David

David、您好！  

我理解你说的一切、除了一个问题。 根据 栅极驱动器功能 方框 图、高侧 GHx 由 VCP 驱动、SHx 处于悬空状态。 如何断开高侧 MOS？

此致！

Jie

尊敬的 Jie：

电荷泵的目的是为 GHx 引脚提供比 SHx 更高的电压。 当 FET 导通时、GHx 引脚应为大约  VM + 10V。

请参阅数据表中的绝对最大值和建议值、以便在 EVM 上进行验证和测试。

当开启 FET 时、您会在 GHx 引脚看到什么值？

此致！

David

David、您好！  

FET 未打开时、由谁为 SHX 供电？

尊敬的 Jie：

这取决于控制模式(PH/EN、PWM、独立1/2桥)和输入信号。 数据表中的控制表有助于显示预期结果。  

此致！

David

David、您好！

根据电荷泵的内部方框图、通过开关 MOSFET 为电容器充电会使 VCP 大约比 PVDD 高10V。

电荷泵的目的是为 GHx 引脚提供比 SHx 更高的电压。 开启 FET 时、GHx 引脚应约为  VM + 10V。当输出时、高侧 GHx 由电荷泵电压 VCP 供电、GLx 由 PVDD 供电？

尊敬的  Jie：

GLx 由 VGVDD 供电。 当低侧 FET 导通时、从 GLx 到 SHx 的最大电压约为11.25V。  

此致！

David

David、您好！

抱歉、我输入了错误的问题。 电荷泵的目的是为 GHx 引脚提供比 SHx 更高的电压。 当导通 FET 时、GHx 引脚应约为  VM + 10V。当输出时、高侧 GHx 由电荷泵电压 VCP 供电、SHx 由 PVDD 供电？

此致！

Jie