工具与软件:
尊敬的 TI 团队
首先、我们使用"DRV8350RH" 器件。
关于该器件、我有3个问题。
1.关于 IDRIVE 设置。
如 数据表中的"9.2.1.2.2 IDRIVE Configuration"所示
我们可以计算 IDRIVEP、IDRIVEN 的值、 如以下方程式。
另外、我们的 MOSFET 器件是 用于三相逆变器的 IQE050N08NM5。
您可以在 IQE050N08NM5数据表中看到以下值。
- Qgd : 8.8nC (典型值)
-上升时间: 4.6ns.
-下降时间: 4.0ns.
因此、我可以像这样进行计算
IDRIVEP = 8.8nC/4.6ns = 1.91A
IDRIVEN = 8.8nC/4ns = 2.2A
最后、我可以将 IDRIVE 设置为"1/2 A"吗? (连接至 DVDD)
我计算对了吗?
我认为我的计算结果(1.91A/2.2A) 大于设定值(1A/2A)、在这种情况下我应该怎么做?
2. VDS 设置
如数据表中的9.2.1.2.3 VDS 过流监视器配置所示
我们可以计算 VDS 值。 如以下方程式。
此外、我们的电机 Imax 规格约为32.54A、Rds on 为5m Ω(IQE050N08NM5)
因此、我可以像这样进行计算。
VDS_OCP = 32.54 X 0.005 = 0.1627V
最后、我可以将 VDS 设置为"0.2V"吗? (75k±5%至 AGND)
我计算对了吗?
3.有关过冲
我们测量了 U、V、W (FET 输出)附近的 PWM 波形
我们可以看到3种类型的过冲、比如波纹管。
您能 说明为什么这3种形式的过冲都会发生吗?
如果我可以通过调整 DRV8350RH 器件来解决该问题、请告诉我是否有办法。
谢谢、此致
David Johnson