[参考译文] DRV8328：DRV8328燃烧 MOSFET

您好、Alex、

您能否提供有关您使用的 FET 和电压源的更多信息？ 在发生这种情况时、您是否注意到 nFAULT 拉低？

MOSFET 烧毁的一些典型原因包括违反高电流或电压额定值。 nFAULT 可能会指示是否存在 VDS 过流事件、但似乎您已通过将 LSS 接地来禁用 VSENSE 过流检测。

此致！

Davis

我们使用的是 SQS174ELNW-T1_GE3。 在25V PVDD/VBAT_IN 上运行。

https://www.mouser.com/ProductDetail/78-SQS174ELNW-T1_GE3

当前未监视 nFAULT 引脚。

您好、Alex、

您能否提供同一相位上发生这种情况时的 GHx、GLx 和 SHx 波形图像？ 这将有助于确定是否发生过流事件。

此致！

Davis  

发生故障时、我没有波形。 只在工作台上有电机的空载情况下运行。

您好、Alex、  

您能否说明一下图像中的波形是哪一个？

谢谢！

Davis

黄色表示电机相位。 绿色是低侧栅极、蓝色是高侧栅极。

您好、Alex、

我需要确认、但我怀疑 GHx 和 GLx 节点上的振铃可能会导致击穿事件。 您可以测量高于接地(对于 GLx)或相电压(对于 GHx)的振铃高度、并将其与 MOSFET 的阈值电压进行比较以确认。

一种选择是进一步增加栅极电阻以降低压摆率、或者您可以选择具有更高 Qgd 的 MOSFET。 或者、您也可以参阅此应用手册以了解有关创建缓冲器电路以减少振铃的信息： https://www.ti.com/lit/an/slvaf66/slvaf66.pdf?ts = 1722634648974。 最后、请确保电路板布局布线遵循本应用手册( https://www.ti.com/lit/an/slva959b/slva959b.pdf)中概述的最佳实践。  栅极驱动器和栅极之间的长布线会引入寄生电感、从而增加振铃。

最后、您使用的 PWM 频率是多少？ 高开关频率 通常还会增加功率损耗、从而使 MOSFET 升温。

此致！

Davis

谢谢 Davis。

PWM 频率为24kHz 至48kHz。 栅极布线很短、大约为7mm。

SQS174ELNW 栅极电阻计算器。 它们具有较低的 Qg 和 Vth。

我希望切换到 IAUCN08S7N013、它具有更高的 Qg 和更低的 RDS。
GATE 电阻计算器显示了一个用于这些器件的11 Ω 电阻、数据表下降时间为25ns。

我遇到的一个问题是关于 VDS 下降时间。 这应该是 FET 数据表中的下降时间、还是所需的下降时间？

您好、Alex、

我认为 FET 数据表中的下降时间是一个取决于设计的动态参数、因此需要计算器中的下降时间、从而成为设计的产物。 计算器将给出在理论上应实现所需下降时间的栅极电阻。 由于电流更高、VDS 下降速度会更快、可以为固有栅漏极电容提供更多电荷、因此压摆率与栅极电阻成反比。

我还建议确保您的布线尽可能宽。 如果正在发生跨导、电路板设计技术加上更高的栅极电阻和 Vth 应该有望停止跨导。

此致！

Davis