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器件型号：DRV8428E 工具与软件：
您好-
我正在设计 DRV8428E、用于驱动两个单线圈闭锁继电器(AOUT1 /2之间的一个线圈、BOUT1/2之间的另一个线圈)。
VM (电源)= 24V。 每个继电器线圈为60-70欧姆。 99%的时间继电器未通电、我们将通过 MCU 使 EN 针对两个输出保持低电平。 我们不打算使用休眠功能。
逻辑电压为1.8V。
我有几个问题：
1)请确认、我们不需要在哪里将1.8V 逻辑连接到 DRV8428E？ 我看到内部5V 稳压器的 DVDD 和 GND 之间需要0.1uF 的电容。
2) 2) 请确认如果我们不想睡眠 DRV、我们可以将 nSleep 连接到1.8V。
3)继电器将通过根据需要设置还是复位功能设置为高电平或低电平、然后使 EN 变为高电平、每个继电器将产生50-100mS 的脉冲。 在50-100ms 后、EN 将再次变为低电平。 我认为此应用不需要任何衰减、那么我们是否应该将 TOFF/DECAY 引脚连接到 GND？
4)关于 VM 电容： 我看到数据表中标注了0.01uF X7R 陶瓷电容器、是否可以使用0.1uF X7R 进行去耦或者建议使用较小的0.01uF 值(我们在原理图的其他任何位置使用0.1uF、因此只是为了避免在 BOM 中添加另一个独特的部件)。 对于大容量电容器、您可以建议尺寸吗？ 我当时想到的是47uF 35V 电解电容器。 (注意：一次只能接通一个继电器、不能同时接通)。 该值看起来足够高、还是我们应该更接近100uF？
谢谢你。
