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[参考译文] DRV8962:DDV 无负载功耗-是否需要整洁的接收器?

Guru**** 1799550 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8962EVM, DRV8962
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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1401425/drv8962-ddv-no-load-dissipation---neat-sink-needed

器件型号:DRV8962

工具与软件:

对于在80kHz PWM 输入、28V DC VM 输入和空载下运行的器件、将出现什么功耗? 我预计会有 IQ (~6mA)* VIN、但是否有额外的栅极驱动损耗? 在这些条件下、是否需要使用散热器来防止器件过热?

DVDD 是否存在纹波限制?

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    您好!

    感谢您的提问。 我们的专家将在一两天内向您提供反馈。

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    Steve、您好!

    我不确定您到底在问什么。 您是否想了解 空载时的 VM 工作电源电流值?

    可以向 DDV 封装添加散热器以帮助散热。  

    数据表的9.2节介绍了散热器运行和安装的详细信息。  

    只要 DVDD 电压在建议的工作参数范围内、器件就可以调节数字逻辑。  

    此致!

    David

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    尊敬的 David:

    将更多信息添加到 Steve 的查询中:  

    -我们正在使用预量产器件 PDRV8962、DDV 封装  

    - IN1, IN2 -提供80Khz 的互补 PWM  

    - IN3, IN4 - 提供80Khz 互补 PWM  

    -未连接负载。  

    -我们正在观察到在应用复位时输入电流在25到30mA 之间的下降。 由此推断、 在所有输入均采用 PWM 的情况下、驱动器在空载时的功耗为28V * 30mA = 0.8W。  

    因此无负载条件,提供输入 PWM 消耗的电流远高于数据表中建议的6mA 电流。 预量产器件是否有这种预期行为  

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     Steve、您好!

    他们是在自己的设计还是在我们的 DRV8962EVM 上看到过这样的功率损耗?

    此致!

    David

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    非常重要  

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    尊敬的 Arun:

    如果可能、您能否提供布局和原理图的图片?

    电流消耗将取决于 PCB (层、布线宽度、布局等)。 我将在这些条件下作为参考、检查我们的 EVM 的行为。  

    此致!

    David

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    尊敬的 Arun:

    我 在我们的 EVM 上测试了 VM 工作电源电流、并看到了 W ü~4mA。  

    在无负载、无输入且 nSLEEP = 1的情况下、该 EVM 正在使用~11mA。 该电流消耗的大部分来自 EVM 上的 MCU 和 LED。  

    当设置 nSLEEP = 0时、EVM 正在使用~7mA。 这是一种显示器件工作电流的方法、即4mA。  

    我在50%占空比和28V 电源下对全部4个输入 PWM 进行了另一次测试、当时该 EVM 使用~20mA。 电流增加的原因可能是 MCU 板载拉取了更多电流、因为它需要更多寄存器来处理所需的 PWM 输出、以及板载 LED 会在输出启用时打开。  

    此致!

    David

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    谢谢 David。 我从 EVM 中移除了 LED。 在28V、100kHz PWM 时测试。 观察到45mA 电流、开关 频率增加到200kHz 时、输入电流= 65mA。  当驱动器 复位/睡眠时、 输入 电流= 8.5mA  

    这解释了 DDV 封装中的温升,没有带80Khz PWM、28V 输入和空载的散热器。  

    在我们的电路板上、我们可以看到正常运行和驱动器复位之间存在25mA 输入电流差异。  

    在提供80kHz 25mA 且空载时的功率耗散= 28V* PWM = 0.7W。

    Tj = 25 + 44C/W * 0.7 = 55C  

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    此外、我还想看看 在我们提供互补 PWM 时是否发生了任何击穿。 我们观察到100mA 频率80kHz 附近的 PWM 电流尖峰。 这些电流是在 OUTA 和 OUTB 之间未连接负载的情况下、在 PGND2和 GND 基准之间测量的。  

    它们可能会击穿电流或栅极驱动电流  

    缩放:  

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    尊敬的 Arun:

    这不是击穿电流尖峰。  

    DRV8962具有300ns 的内部死区时间来保护器件。  当在半桥的高侧和低侧 MOSFET 之间切换时、该器件会自动处理死区时间生成。

    由于尖峰的低振幅和"振铃"性质、这可能是开关产生的噪声、甚至是仪表灵敏度。

    此致!

    David