[参考译文] DRV8701：为栅极驱动器设置 Ichop 和 IOCP

David、您好！

感谢您的关注。

我从其他线程收集了一些信息、DRV8701 Vdsocp 和 Vscocp 似乎固定为1V。

这是器件限制、TI 建议使用更新版本的栅极驱动器 IC。

因此、我已修改设计以改用 DRV8702、从而可以更好地控制 Vdsock。

当我看过 DRV8702中先前的线程时、数据表中的等式1被认为是一个错别字、其中50mV 实际上为(Vio x Av)、而不仅仅是 Vio。

我关于 DRV8702的第一个问题是要在计算中使用的 Vio 的实际值是多少？

当 AV 典型值为19.8V/V 时、对于50mV (Vio x AV) 、Vio 计算为2.53mV、是典型值的一半。

请确认 要用于 准确计算 Ichop 的正确 Vio 值。

我关于 DRV8702的第二个问题是关于从 VDRAIN 引脚到 VM 的100 Ω 串联电阻器。

如果 VDRAIN 上没有反向阻断保护、是否必须包含此100 Ω 电阻器？

100欧姆电阻器是否会破坏高侧 MOSFET 的 Vdsock 感测过程？

我的第三个问题是建议的反向电源保护。

请更正我的错误、我对这个电路的理解是在正常运行时、BJT 将会关闭、VCP 的值将高于 VM、从而导致 FET 导通。

在反极性中、BJT 预计会开启、并使 VM 和 VCP 具有相同的电势、从而导致 FET 关断。

由于 BJT 的基极连接到 GND、在这种情况下、它如何激活 BJT 来打开？

此外、VM IC 电源引脚是否仍然容易受到反极性的影响、因为 FET 仅保护外部电源而不保护 IC 电源引脚？

最后、我是否可以私下向您分享原理图以供您审阅？

请告诉我如何与您分享。

对于冗长的帖子很抱歉并偏离实际主题"DRV8701"、如果您发现必要、可以帮助将此主题重命名为 DRV8702。

希望很快收到您的反馈。

此致、

Amirul

尊敬的 Amirul：

1.要用于计算的 VIO 的实际值为5mV。 示例中有一个拼写错误、50mV 应为5mV 典型值。

2.如果该设计不包含电池反向保护功能、则可以实现推荐的100Ω 电阻器(不需要)。 VDSFET 电压是 FET 上的差分电压、将不受100Ω 电阻器实施的影响。  

3.请参阅以下深入了解反极性的应用手册：

保护汽车电机驱动系统免受反极性条件的影响 

此致！

David

David、您好！

仍然不清楚问题1、如果 Vio 使用5mV 典型值、则在该示例中、Vo x AV 变为(Vio x AV)的10V/V、但(AV x Rsense)保持19.8V/V。

确切使用的正确 AV 电压是多少？  公式是需要更改还是已经正确。

此外、我们可以使用的最小 Rsense 是多少？ 在不影响感测精度的情况下、1 m Ω 甚至300微欧姆电阻是否仍然可用？

在功率耗散和精度之间实现良好平衡。 我将 Vdsoc 限制到80A、这会导致10m Ω 电阻器具有高 Pd (64W)。

在这种情况下、我必须更改为较低的检测电阻(1M Ω)、请确认 此 IC 可以检测的 Rsense 的最低值。

此致、

Amirul

尊敬的 Amirul：

VIO = 5mV (典型值)。 数据表中的示例不正确、需要更新。 放大器增益(Av)不应改变。 应使用 Av = 19.8V/V、公式保持不变。

2。使用的最小 Rsense 将取决于所需的斩波电流阈值。 您认为 VDSOCP 限制为80A 是什么意思？  您所需的 ICHOP 是什么？

只要在通过高侧 FET (VM-SHx)和低侧 FET (SHx-SP)计算得出的过流保护跳闸电平(VDSOCP 和 VSPOCP)以下运行、该器件就应该能够检测电流。

此致！

David

David、您好！

感谢您的回答。 我当前将 Ichop 设置为23A (使用1M Ω 检测电阻)并将 VDSOCP 设置为80A (使用3m Ω RDSon FET)。

完成设计后、我担心电机将产生的反电动势。

回顾一下参考设计、我找不到任何反电动势保护。  

FET 的体二极管是否足以 处理电机的反电动势？

我的直流电机规格为24V、20A、0.5HP 连续额定值。

 此处选用的 FET 是 TI 的 CSD19536KTT。

如果需要额外的保护、您能建议 以下哪些解决方案可能对反电动势有最佳帮助吗？

1.双向 TVS 二极管与电动机并联。

2.双向 TVS 二极管连接至 VM 和 GND。

3.肖特基二极管与每个 FET 并联。

4.与电机并联的肖特基二极管。

5.与电机并联的电阻器和电容器。

此致、

Amirul

尊敬的 Amirul：

DRV8701具有有助于缓解反电动势 问题的集成解决方案。 请参阅以下应用手册、了解这些解决方案如何提供帮助。

"防止此问题的一种方法是使用电机驱动器的制动模式。 此模式在启用低侧 MOSFET 的同时禁用 H 桥的高侧 MOSFET。 这可防止反电动势电压尖峰流回模拟电源轨、同时允许反电动势安全消散。"

集成反电动势保护 

此致！

David