• 状态
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 7 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 134 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8701：为栅极驱动器设置 Ichop 和 IOCP

admin
Guru**** 1796000 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8701, CSD19536KTT
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1405113/drv8701-setting-ichop-and-iocp-for-the-gate-driver

器件型号：DRV8701
主题中讨论的其他器件： CSD19536KTT

工具与软件：

您好！

我想 在 Ichop 和 IOCP 上确认一下、我发现有 一些相关性、并且 我如何更改它存在限制。

从公式中、我们可以看到、这些值按以下方式计算。

如果我使用0.01欧姆的 Rsense、我可以在 Vref 设置为4.45V 的情况下获得22A 的 Ichop。

但仅当 VSP OCP 为1V (相当于20V)时才会触发 IOCP、这会导致99.75A OCP。

另一个带 VDS 监视器的 IOCP 甚至具有较高的值、例如我使用3m Ω Rdson FET 、VDS OCP 为1V、相当于333A OCP。

是否有任何其他方法可以控制 IOCP？

我的理解是 VSP 和 VDS OCP 是固定值1V、我们可以通过什么方法更改它吗？

是否 有可能改变 AV 或它是否也被固定为20V/V？

我的目标是获得22A Ichop (已获得)和~50A IOCP (由于上述限制无法获得)。 请提供帮助

非常感谢

Amirul

  • 0
    TI__Guru**** 1796000 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Amirul：

    请允许我24小时查看此内容。

    此致！

    David

  • 0
    TI__Guru**** 1796000 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    David、您好！

    感谢您的关注。

    我从其他线程收集了一些信息、DRV8701 Vdsocp 和 Vscocp 似乎固定为1V。

    这是器件限制、TI 建议使用更新版本的栅极驱动器 IC。

    因此、我已修改设计以改用 DRV8702、从而可以更好地控制 Vdsock。

    当我看过 DRV8702中先前的线程时、数据表中的等式1被认为是一个错别字、其中50mV 实际上为(Vio x Av)、而不仅仅是 Vio。

    我关于 DRV8702的第一个问题是要在计算中使用的 Vio 的实际值是多少？

    当 AV 典型值为19.8V/V 时、对于50mV (Vio x AV) 、Vio 计算为2.53mV、是典型值的一半。

    请确认 要用于 准确计算 Ichop 的正确 Vio 值。

    我关于 DRV8702的第二个问题是关于从 VDRAIN 引脚到 VM 的100 Ω 串联电阻器。

    如果 VDRAIN 上没有反向阻断保护、是否必须包含此100 Ω 电阻器？

    100欧姆电阻器是否会破坏高侧 MOSFET 的 Vdsock 感测过程？

    我的第三个问题是建议的反向电源保护。

    请更正我的错误、我对这个电路的理解是在正常运行时、BJT 将会关闭、VCP 的值将高于 VM、从而导致 FET 导通。

    在反极性中、BJT 预计会开启、并使 VM 和 VCP 具有相同的电势、从而导致 FET 关断。

    由于 BJT 的基极连接到 GND、在这种情况下、它如何激活 BJT 来打开？

    此外、VM IC 电源引脚是否仍然容易受到反极性的影响、因为 FET 仅保护外部电源而不保护 IC 电源引脚？

    最后、我是否可以私下向您分享原理图以供您审阅？

    请告诉我如何与您分享。

    对于冗长的帖子很抱歉并偏离实际主题"DRV8701"、如果您发现必要、可以帮助将此主题重命名为 DRV8702。

    希望很快收到您的反馈。

    此致、

    Amirul

  • 0
    TI__Guru**** 1796000 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Amirul：

    1.要用于计算的 VIO 的实际值为5mV。 示例中有一个拼写错误、50mV 应为5mV 典型值。

    2.如果该设计不包含电池反向保护功能、则可以实现推荐的100Ω 电阻器(不需要)。 VDSFET 电压是 FET 上的差分电压、将不受100Ω 电阻器实施的影响。  

    3.请参阅以下深入了解反极性的应用手册：

    保护汽车电机驱动系统免受反极性条件的影响 

    此致！

    David

  • 0
    TI__Guru**** 1796000 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    David、您好！

    仍然不清楚问题1、如果 Vio 使用5mV 典型值、则在该示例中、Vo x AV 变为(Vio x AV)的10V/V、但(AV x Rsense)保持19.8V/V。

    确切使用的正确 AV 电压是多少？  公式是需要更改还是已经正确。

    此外、我们可以使用的最小 Rsense 是多少？ 在不影响感测精度的情况下、1 m Ω 甚至300微欧姆电阻是否仍然可用？

    在功率耗散和精度之间实现良好平衡。 我将 Vdsoc 限制到80A、这会导致10m Ω 电阻器具有高 Pd (64W)。

    在这种情况下、我必须更改为较低的检测电阻(1M Ω)、请确认 此 IC 可以检测的 Rsense 的最低值。

    此致、

    Amirul

  • 0
    TI__Guru**** 1796000 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Amirul：

    VIO = 5mV (典型值)。 数据表中的示例不正确、需要更新。 放大器增益(Av)不应改变。 应使用 Av = 19.8V/V、公式保持不变。

    2。使用的最小 Rsense 将取决于所需的斩波电流阈值。 您认为 VDSOCP 限制为80A 是什么意思？  您所需的 ICHOP 是什么？

    只要在通过高侧 FET (VM-SHx)和低侧 FET (SHx-SP)计算得出的过流保护跳闸电平(VDSOCP 和 VSPOCP)以下运行、该器件就应该能够检测电流。

    此致！

    David

  • 0
    TI__Guru**** 1796000 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    David、您好！

    感谢您的回答。 我当前将 Ichop 设置为23A (使用1M Ω 检测电阻)并将 VDSOCP 设置为80A (使用3m Ω RDSon FET)。

    完成设计后、我担心电机将产生的反电动势。

    回顾一下参考设计、我找不到任何反电动势保护。  

    FET 的体二极管是否足以 处理电机的反电动势？

    我的直流电机规格为24V、20A、0.5HP 连续额定值。

     此处选用的 FET 是 TI 的 CSD19536KTT。

    如果需要额外的保护、您能建议 以下哪些解决方案可能对反电动势有最佳帮助吗？

    1.双向 TVS 二极管与电动机并联。

    2.双向 TVS 二极管连接至 VM 和 GND。

    3.肖特基二极管与每个 FET 并联。

    4.与电机并联的肖特基二极管。

    5.与电机并联的电阻器和电容器。

    此致、

    Amirul

  • 0
    TI__Guru**** 1796000 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Amirul：

    DRV8701具有有助于缓解反电动势 问题的集成解决方案。 请参阅以下应用手册、了解这些解决方案如何提供帮助。

    "防止此问题的一种方法是使用电机驱动器的制动模式。 此模式在启用低侧 MOSFET 的同时禁用 H 桥的高侧 MOSFET。 这可防止反电动势电压尖峰流回模拟电源轨、同时允许反电动势安全消散。"

    集成反电动势保护 

    此致！

    David