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[参考译文] DRV8343-Q1:驱动电压尖峰会导致误导性的通信

Guru**** 1794070 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1414822/drv8343-q1-driving-voltage-spike-leads-to-misleading-communication

器件型号:DRV8343-Q1

工具与软件:

请参阅图、其中显示了一个半桥上的驱动器结构和两个 MOS Vgs。

有一个  尖峰导致误导性的沟通。 短缺导致异常电路消耗。

如何解决此问题?

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    您好、Sam、

    VDS 转换期间似乎会发生交叉耦合、这会耦合到低侧栅极。 查看 FET 参数、Qgs/Qgd 比接近1、这使得 MOSFET 更容易受到 dv/dt 耦合到相反方向的 FET 中的影响。 我建议增加高侧和低侧 FET 的 Cgs 外部电容以进一步提高该比率。 此外、我建议降低 MOSFET 压摆率以进一步减少耦合。 这可以通过减小 IDRIVE 和增大栅极电阻来实现。  

    此致、

    Anthony Lodi

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    尊敬的 Antony:

     Cgs 增加 到22nF、  转换率为22kHz、 尖峰出现、但死区时间异常、请参考图片

    2.将 Cgs 增加 到15nF、  压摆率为16kHz、 尖峰变小、但仍会导致短缺

    您能帮忙检查为什么我不能从 MCU 设置死区时间吗? DRV8343硬件排在第一、MCU 软件排在第一?

    我应该怎么做才能设置合适的死区时间值?

    Tks

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    您好、Sam、

    对于22nF 情况、我实际上需要一个更加放大的图像来分析死区时间(类似于您在第3点中显示的情况)并查看 MCU 输入来确定从 MCU 中插入了多少死区时间。

    您使用的 IDRIVE 设置是什么?  

    此致、

    Anthony Lodi