工具与软件:
请参阅图、其中显示了一个半桥上的驱动器结构和两个 MOS Vgs。
有一个 尖峰导致误导性的沟通。 短缺导致异常电路消耗。
如何解决此问题?
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工具与软件:
请参阅图、其中显示了一个半桥上的驱动器结构和两个 MOS Vgs。
有一个 尖峰导致误导性的沟通。 短缺导致异常电路消耗。
如何解决此问题?
您好、Sam、
VDS 转换期间似乎会发生交叉耦合、这会耦合到低侧栅极。 查看 FET 参数、Qgs/Qgd 比接近1、这使得 MOSFET 更容易受到 dv/dt 耦合到相反方向的 FET 中的影响。 我建议增加高侧和低侧 FET 的 Cgs 外部电容以进一步提高该比率。 此外、我建议降低 MOSFET 压摆率以进一步减少耦合。 这可以通过减小 IDRIVE 和增大栅极电阻来实现。
此致、
Anthony Lodi