[参考译文] DRV8350H-EVM：MOSFET VDS 过流保护(OCP)问题

尊敬的 Chihhsuan：

1.是的、每个相位上的每个 MOSFET 都监测是否存在 VDS 过流。

2. VDS 引脚用于选择每个 VDS 监控器报告过流事件的电压阈值。 有关如何为硬件器件配置 VDS_OCP 阈值电压的信息、请参阅数据表中的电气特性表。 所有监控器都将使用该设置作为阈值。

3.在 VDS 过流事件中、所有的 MOSFET 都被禁用、而不仅仅是那个特定的 MOSFET。

 DRV8350H 具有8ms 的自动重试时间以及逐周期模式、在该模式下、PWM 输入上的新上升沿将清除故障。 更多信息、请参阅数据表的第8.3.6.3节。

此致！

Davis

你好、Davis  

感谢您的答复。 请参阅以下内容。

图1当 UV 短路 发生时,可以测量 ch3 iu,peak=170Apk 和 nFAULT H-->L,所以我认为 OPC 被触发。

CH1 VGS、U-

CH2 VGS、V-

CH3 Iu、短接

通道4 nFAULT (引脚17)

图1

图2显示了与该 Vgs 输出同步的 INLx 信号

CH1 nFAULT

CH2 VGS、V-

CH3V- 、PWM (INLB)

CH4使能(引脚22)

图2 (可以查明 nFAULT 何时发生、VGS、V-关闭)

图3 (可以查明 nFAULT 何时发生、 VGS、V-静止输出)

在这个测试中、工作在 Ta=Ta 25°C、轻载、开放式框架下、所以我认为过热警告几率很小。

DRV8350H 具有8ms 的自动重试时间以及逐周期模式、在该模式下、PWM 输入上的新上升沿将清除故障。 更多信息、请参阅数据表的第8.3.6.3节。

-->所以、如果我使用 逐周期模式、甚至不知道 nFault Keep low min 时间？

尊敬的 Chihhsuan：

感谢您提供的信息。 我同意、这似乎是一个过流事件。 关于您的上一个问题、nFAULT 只是一个表示已发生故障的数字指示、其过流事件后的时间与通过数字逻辑的传播有关、理论上还应禁用栅极输出。 因此、nFAULT 不应有最短低电平时间。 但是、我需要与我的团队讨论这些信息、并希望最迟在明天提供更多反馈。

此致！

Davis

尊敬的 Chihhsuan：

咨询我的团队后、似乎可以单独进行相位过流关断。 根据数据表、这是 SPI 器件上的默认设置、因此我需要确认这是否也适用于硬件器件。 请注意、这意味着会禁用整个半桥、而不是单个 MOSFET。

这将解释为何在您发送的其中一个图像中 W 相未关闭、以及当其他相位未关闭时、这可能是由于略早在另一个相位中发生了过流事件。

在我确认硬件设备的默认模式时、感谢您的耐心等待。

此致！

Davis

尊敬的 Chihhsuan：

我可以确认 DRV8350H 的默认设置是仅关闭与过流事件相关的相位。 如果您有任何其他问题、敬请告知。

此致！

Davis