[参考译文] DRV2700：输出保护

尊敬的 Sydney：

感谢您的及时响应。

我有一个关于从0V 到100V 电压转换的后续问题  

在正常运行中、我们使用低于1Hz 的方波(IN+) 来驱动大约6 μF 的负载 。 尽管概率很低、但在这些转换期间可能会触发类似的过流问题、特别是电感器过热和潜在的芯片损坏。 这也可能是由电容负载从0V 快速充电 至100V 时的电流尖峰引起的 ？

TI 是否建议在输出端添加一个串联电阻来限制这种情况下的浪涌电流？ 如果是、是否有建议的电阻值或关于如何选择合适值来缓解此问题而不对性能产生不利影响的指南？

我们感谢您的帮助以及您为帮助我们解决此问题而提供的任何见解。

此致、

Cain

尊敬的 Cain：  

我对这里的延误深表歉意！ 我不希望您的负载出现这种行为。 它可能会消耗升压电流、从而导致升压电压下降、但我相信升压稳压器应该恢复。  

您能否提供原理图和布局文档？ 如果您更喜欢通过电子邮件共享这个信息、请告诉我、我可以启动一个主题帖。  

此致、
悉尼诺斯卡特  

尊敬的 Sydney：

感谢您的答复。

您可以发起一个电子邮件线程、以便我们将原理图和布局发送给您吗？

同时、我还有一些后续问题：

1. 输出端的串联电阻：

   • 我们想知道是否建议在输出端添加一个串联电阻器、以便在驱动大容性负载(我们使用大约6 μF )时限制浪涌电流。 您是否建议采用这种方法？ 如果是、我们应该如何选择合适的电阻器值？

2. 升压压降：

   • 我们观察到、在对 IN+施加阶跃输入时、升压电压从100V 下降 到20V 左右 。在这些转换期间、这是预期的安全行为吗？
   • 此外、当 IN+悬空时、看起来大约为 2V。如果我们需要添加一个下拉电阻器来防止 IN+悬空时产生噪声、您会建议使用多大的电阻器值？

3. 反馈电压：

   • 我们测得的反馈电压约为1.4V 、而不是 数据表和仿真预测的1.3V。 在电感器运行期间、反馈线上也存在峰值、最高达1.6V  
   • 这些更高的反馈电压和尖峰是否可能导致芯片故障？
   • 我们的 RFB 电阻值设置为理论升压电压为101V 、但测量值约为104V。 我们注意到、将升压电压设置为略高于105V 会导致一些芯片在工作一段时间后出现故障。 反馈电压和尖峰升高是否会导致该问题？
   • 使用 x10探针的反馈电压波形：  

此致、

Cain

尊敬的 Cain：  

请期待尽快发送电子邮件。

您能解释一下芯片故障是什么意思吗？ 如果您是指升压电压下降、它应该会恢复、并且不应损坏器件。 对于6uF 负载、您是否看到器件或升压电感器发生了一些损坏且不再正常工作？ 问题不在于电流流向负载的速度、而在于负载牵引的电流大小。  升压转换器在100V 时只能达到大约1mA 的电压。 这种情况可能是该电容器太大、无法由器件处理。 是否可以使用一些较低的电容负载？

不同的 FB 电压不应造成任何损坏、预计会略有变化。 让我对自己做一些测试、以确保其在预期范围内、但我不认为这是问题所在。  

如果您想进行单端输入、您可以通过一个电容器将 IN-接地。  

此致、
悉尼诺斯卡特  

尊敬的 Sydney：

按照您的建议、我已通过电子邮件发送了我们的原理图和布局。

对于我提到的"芯片故障"、我们遇到的具体问题都在电子邮件附件中详细介绍。

是的、我们担心由于我们的电流负载容、消耗的电流会超出芯片的处理能力。 我们有两种类型的负载、特别是3.4 μF 和6.8 μF 、但我们都遇到了故障。 我们的输入阶跃信号具有大约4 μs 的上升时间 。 尽管工作频率很低、我们是否应该考虑根据数据表中的图8-2限制上升时间、以避免芯片过载？ 我们已注意到、当 IN+悬空或以更高频率的方波驱动时、瞬时功耗偶尔会超过 1W

关于反馈信号(如电子邮件附件中所述)、在早期版本中、我们会遇到信号干扰、导致升压电压超过105V 、从而导致 similar 芯片损坏。 因此、我们优化了布局并将预设最大电压降低到了101V。 但是、根据电流反馈波形、我们不确定安全裕度是否足够。

此致、

Cain

尊敬的 Cain：  

我懂了。 我将跟踪我们的电子邮件主题。

此致、
悉尼诺斯卡特