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器件型号：DRV8350 工具与软件：
尊敬的 TI 团队
首先、我们使用的是"DRV8350R"器件。
我对这款器件有疑问。
IDRIVE 设置。
如数据表中的"9.2.1.2.2 IDRIVE Configuration"所示
我们可以计算 IDRIVEP、IDRIVEN 的值、 如以下方程式。
另外、我们的 MOSFET 部件是用于三相逆变器的 IPTC014N08NM5*2并联器件。
您可以在 IPTC014N08NM5数据表中看到以下值。
- Qgd：45nC (max)
-上升时间：15ns
-下降时间:46纳秒
因此、我可以像这样进行计算
IDRIVEP = 45*2nC/4.6ns = 6A
IDRIVEN = 8.8nC/4ns = 1.95A
最后、我可以将 IDRIVE 设置为"1/2 A"吗？
我认为我的计算结果(6A/1.95A)大于设定值(1A/2A)、在这种情况下、我该怎么办？
我计算对了吗？
我认为预测时间太短了。
因此、我认为上升时间和下降时间通常约为100ns ~ 300ns。 就像数据表中(9.2.1.2.2.1 IDRIVE 示例)所示、它是否正确？
=>您能告诉我通常应该设置和计算多少上升时间和下降时间吗？
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此外、我目前有一个串联的外部15欧姆 Rg 电阻器。 通过测量两端的电压、可以获得如下图所示的输出驱动电流：
我想询问是否设置了 IC (1A/2A)以及导通的峰值脉冲是否超过1A (实际测量值约为2A)
这是否会影响 IC？ 如何确认这不会使驱动器 IC 过载？
或者、只要开关能够正常切换、就没有什么需要担心的了？
