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器件型号：DRV8334 工具与软件：
您好！
我正在编写调优指南、供团队内部使用。 在某种背景之下、我们目前并不使用预放电或死区时间注入(我只提到这些东西、因为它们会略微调整 DRV8334的功能)
观察数据表中的图7-6、TDrive 似乎被夸大、远长于实际开关时间。 这是典型的指导原则吗？ 我认为、最好使用测得的实际 MOSFET 开关时间、添加一些缓冲器以实现最坏情况下的容限值(例如、数据表中的最大 MOSFET 栅极电荷)、并添加20%(假设-20%是 TDRIVE 状态机在任何给定设置下的时序精度的最小容限值、如数据表所示)。
此外、我想知道、 不设置 IHOLD_SEL 是有道理的。 我可以进一步降低相邻相位串扰的风险的想法(据我所知、ISTRONG 仅在打开其互补 FET 时应用于 MOSFET 的同一相位)很好、可开启/关闭我的 FET、但有什么缺点？ 在做出该决定时、我应该考虑哪些因素？
