[参考译文] DRV8353：请帮助验证 DRV8353是否具有足够的 Idrive 和 Tdrive 以支持并联 IPTC012N08NM5ATMA1或 IPTC011N08NM5ATMA1 FET

尊敬的 Leo：  

请给我大约2-3个小时、我将提供最新信息

此致、

Yara

尊敬的 Leo：

我要尝试检查您的计算、但我有点不熟悉并联 MOSFET。

通常、我们会通过以下常见问题解答来指导客户选择 IDRIVE：

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/796378/faq-selecting-the-best-idrive-setting-and-why-this-is-essential

本指南确实提到了如何在并联 MOSFET 的情况下进行粗略计算。 因此、对于您选择的 MOSFET、计算方式为(请记住、trise 和 tfall 建议设置在100ns 和300ns 之间)、如下所示：

IPTC012N08NM5ATMA1  

典型 Qgd 值：

(37nC * 2)/100ns = 0.74A

(37nC * 2)/300nS = 0.24A

MAC Qgd 值：

(56nC * 2)/100ns = 1.12A

(56nC * 2)/300nS = 0.37A

因此 IDRIVE 设置应介于0.24A 和1.12A 之间  

您从哪里得到了您正在使用的方程？

RISE_TIME_ns=Factor*(1/FSW)/1e-9
I= 4520g_tot/rise_time_ns

此致、

Yara

Yara

为什么 Idrive 在计算时只考虑 Qgd？ Qgs 是否大于 Qgd 且栅极驱动器电流在开启时也会对 Qgs 充电？

我的公式是典型的 Q=IT、其中 I=栅极驱动器开启 MOSFET 所需的电流 ITC T=开关周期的1%(即400-500ns)。
FET DS 中的 Q=绝对最大栅极电荷远高于 Qgd。

还有一个问题要问。
如果 Idrive=1A (绝对最大 SPI 寄存器设置)、当运行 SVPWM 调制时、如果总计=12  IPTC011N08NM5ATMA1、它是否会导致 DRV 芯片过热 ？