工具与软件：
您好！
我们在当前的设计中使用 DRV8801QRTYRQ1 -具有12V BDC 电机的传动器。 外壳由塑料制成。
电源- 24V、PWM 占空比- 50%。 从驱动器到 MCU 的引线长度约为40-50mm。检测电阻器470m Ω 靠近驱动器放置。 正常情况下、即使电机转轴被阻断、nFAULT 也会处于高电平。
我们根据 ISO 11452-2 (吸波器衬里屏蔽外壳)：100MHz……2GHz、100V/m 执行了射频抗扰度测试
在测试过程中,电机在一些频率下停止,大约~~-350MHz 和 380MHz (很难精确定义)。 nFAULT 信号变为低电平且驱动器关断(看起来像是触发了过流保护)。 测试过程中对温度和输入电压进行了控制、 且不会超出正常值。 问题可能出在哪里、如何在射频抗扰度方面改进设计？
此致、
Yauhen
尊敬的 Iminu：
遗憾的是、由于干扰水平较高、因此无法连接其他测量设备。 只有关于 MCU 在 VPROPI 引脚上测量的电机电流的信息。
测试的理念:执行器在0%和100%位置之间上下提升重量。 橙色线-轴的目标位置(%)。 绿色虚线-当前位置(%)。 和蓝色线-电机力(电流、以%表示)。 当绿色线上升(从0到100%)时、这意味着执行器正在降低重量。 这就是从100%到0%的路径所花费的时间比反向需要的时间更多的原因。
每1秒、测试频率就会增大。 当频率达到340 -350MHz 时、测得的 电流值开始增加、电机停止(您可以看到绿色线卡在0%)。 频率变化后、DUT 继续正常工作。
谢谢！
Yauhen
您好 Keerthi、
感谢您的答复。
射频噪声如何耦合到电路板以及噪声的传输过程是什么
这是一个好问题。
是的、我计划 在驱动器输出端子附近添加3个1nF 电容器：在 OUT+和 GND 之间、在 OUT-和 GND 之间以及在 OUT+和 OUT-之间。 我还可以为 VBB 添加一个1nF。
顺便说一下、我们尝试在不靠近驱动器但靠近电机端子(端子和电机外壳之间)的位置添加100pF 电容器、但几乎没有任何效果。
对此、您还有其他看法吗？ 在我们的下一次实验室访问中、还可以调查哪些其他内容？
图1 -绿色电容器-我们已经对器件进行了测试的方法。 没有影响。
图2 -蓝色电容器-将在下一次访问期间进行测试的配置。
此致、
Yauhen
