[参考译文] DRV8353：DRV8353功率 FET 旁路

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器件型号：DRV8353

工具与软件：

鉴于再循环电流将通过检测电阻、除了直接在电源轨上使用的典型旁路外、连接到底部 FET 顶部到电源漏极的10uF 容量还具有怎样的功能(如图所示)？这些附加电容特别能解决 DRV8353驱动外部 PERT FET 的哪些问题？

0 admin 9 个月前

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您好！

我想答案是在你复制的段落中。它们是本地电容器、用于衰减由开关引起的高频电流。电源轨上的另一个电容更大、大容量电容用于在 MOSFET 开启后处理大电流。 1uF 是 FET 上使用的另一个常见值。

此致、

Ryan

0 admin 9 个月前

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这些电容器在通过来自 VDS 电压的信号测量外部 FET 电流方面是否发挥了重要作用？如果省略了这些电容器、但仍然有非常靠近不同尺寸 FET 的大容量旁路电容器、则 VDS 检测是否能够正常工作

0 admin 9 个月前

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如果使用 SPI 器件、VDS OCP 上有可调抗尖峰脉冲(高达8us)。硬件设备固定为4us。

这种抗尖峰脉冲将有助于避免误跳闸会影响开关噪声、并减少高侧漏极和 GND 对电容器的需求。

此致、

Ryan

电机驱动器（参考译文帖）(Read Only)