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[参考译文] DRV8353：DRV8353功率 FET 旁路

admin
Guru**** 2393725 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8353

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1456677/drv8353-drv8353-power-fet-bypass

器件型号：DRV8353

工具与软件：

我在应用链接中看到了有关外部旁路电容器概念的以下推荐图表："应用手册
电机驱动器电路板布局的最佳实践"   https://www.ti.com/lit/an/slva959b/slva959b.pdf?ts = 1735619844700&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fsolution%252Fdc-input-bldc-motor-drive 

鉴于再循环电流将通过检测电阻、除了直接在电源轨上使用的典型旁路外、连接到底部 FET 顶部到电源漏极的10uF 容量还具有怎样的功能(如图所示)？ 这些附加电容特别能解决 DRV8353驱动外部 PERT FET 的哪些问题？

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    TI__Guru**** 2393725 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    我想答案是在你复制的段落中。  它们是本地电容器、用于衰减由开关引起的高频电流。  电源轨上的另一个电容更大、大容量电容用于在 MOSFET 开启后处理大电流。  1uF 是 FET 上使用的另一个常见值。

    此致、

    Ryan

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    TI__Guru**** 2393725 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    这些电容器在通过来自 VDS 电压的信号测量外部 FET 电流方面是否发挥了重要作用？ 如果省略了这些电容器、但仍然有非常靠近不同尺寸 FET 的大容量旁路电容器、则 VDS 检测是否能够正常工作  

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    TI__Guru**** 2393725 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果使用 SPI 器件、VDS OCP 上有可调抗尖峰脉冲(高达8us)。  硬件设备固定为4us。  

    这种抗尖峰脉冲将有助于避免误跳闸会影响开关噪声、并减少高侧漏极和 GND 对电容器的需求。   

    此致、

    Ryan