• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 6 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 302 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8770EVM：DRV8770慢速衰减实现

admin
Guru**** 2393105 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8770, DRV8262, DRV8262EVM, DRV8770EVM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1463402/drv8770evm-drv8770-slow-decay-implementation

器件型号：DRV8770EVM
主题中讨论的其他器件：DRV8770、 DRV8262、 DRV8262EVM、

工具与软件：

您好！

我正在调查一些针对新设计的 TI 解决方案：

DRV8703/DRV8262/DRV8770

我想驱动一个24V BDC 升压至36V 的电机(10A rms 电流、峰值电流高达18A)。

DRV8262EVM 能够驱动无负载的电机,但有负载(充电70kg ),电机无法移动它...

DRV8703EVM 更加强大、但我在 EVM 板上打破了2个晶体管(VDS 最大为60V)。 当我停止电机时、它会产生高于60V 的电压浪涌。

最后、我来试试额定电压为100V (今天上午订购)的 DRV8770EVM。

我的问题是：DRV8770似乎是一个简单的驱动器、我想实施"慢速衰减"来停止我的电机。

你知道我是否可以同时手动驱动2个低侧晶体管吗?

从 DRV8770的数据表来看、这似乎是可以实现的。

此致。

  • 0
    TI__Guru**** 2393105 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    感谢您问这个问题。

    我将该线程分配给设备专家。 他会审核申请并回复给您。

    谢谢！

    Ibinu

  • 0
    TI__Guru**** 2393105 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    使用 DRV8770实现慢速衰减应该没有问题。 是的、两个低侧 FET 都应导通以实现慢速衰减。 输入可独立工作、并具有带死区时间插入功能的内部击穿保护功能。 在 QFN 封装中、可使用死区时间引脚(DT)在200ns 至2000ns 之间调整死区时间。  

    有关电流衰减模式的更多信息、请参阅以下应用手册：

    电流再循环和衰减模式(修订版 A) 

    此致！

    David

  • 0
    TI__Guru**** 2393105 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的回答。

    我将尝试使用逻辑门(AND、OR 或...)实现一些外部控制信号、例如"ENABLE、BRAKE"、DIR"。

    1. Inha = 使能 和 DIR 与(非 制动器 )
    2. INLA = 使能 和 PWM 和(非 DIR)或 制动器
    3. INHB = 使能 和(不是 DIR)和(不是 制动器 )
    4. INLB = 使能 和( PWM 和 DIR)或 制动器

    主要目的是简化微控制器代码并提供基本的 PWM/DIR 接口。

    此致、

  • 0
    TI__Guru**** 2393105 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 David：

    这听起来不错、由于半桥具有独立控制功能、因此不应该成为问题。 但这就是我们鼓励使用我们的 EVM 进行评估的原因。 请告知我们测试进展如何！

    此致！

    David

  • 0
    TI__Guru**** 2393105 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 David：

    我注意到在 DRV8770评估板上、MODE=GVDD 和 INHx=INLx (安装了 R11、R49和 R50)。  

    如果我理解正确、此配置可用于连接一到两个电机。

    如果我希望仅通过一个电机即可完全控制 H 桥、则需要断开这些电阻器(并添加 R39和 R41)。

    我不确定 POT1和 POT2是否允许我仅使用一个电机驱动 H 桥。

    此致。

  • 0
    TI__Guru**** 2393105 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 David：

    该 EVM 可支持不同的负载配置。 是的、移除 R11将从 MODE 引脚断开 GVDD、并将 INLx 配置为同相模式、移除 R49和 R50将断开 INLx 信号与 INHx 信号的连接。 该模式只是意味着 GLx 输出将跟随 INLx 输入。  

    数据表中的逻辑表能够很好地指示您根据输入信号和所需的输出半桥状态为应用选择哪种模式。 这两种模式提供相同的半桥状态、但需要不同的输入逻辑才能实现这些状态。  

    此致！

    David