[参考译文] DRV8351-SEP：与 GaN HEMT 搭配使用

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：DRV8351-SEP

工具与软件：

可以使用 DRV8351开关 GaN？

DRV8351的栅极驱动器电源电压为5-15V、GAN VGS 为+6/-4。因此、我假设这会起作用。

为了使其正常工作、我还需要考虑其他参数吗？

0 admin 7 个月前

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尊敬的 Lachlan：

我实际上不确定、让我与我的团队核实一下。明天我会有更新

此致、

Yara

0 admin 7 个月前

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尊敬的 Lachlan：

数据表指出 DRV8351用于驱动 NMOS (N 沟道功率 MOSFET)。 NMOS 压摆 VDS 电压比 GaN 目标应用慢得多。 SHx 压摆率过高会导致电气过载。

选择 GaN HEMT 背后的原因是什么？

此致、

Yara

0 admin 7 个月前

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谢谢您、Yara。

我们选择 GaN HEMT 是因为其效率高、尺寸小、重量轻。不过、如果 GaN 无法由 DRV8351驱动、我们可以使用 MOSFET。是否有任何方法可以降低高压摆率以防止电气过载？或者减少这会使它不值得使用 GaN 在第一位?

谢谢

0 admin 7 个月前

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谢谢您、Yara。

谢谢

0 admin 7 个月前

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尊敬的 Lachlan：

明显更快的开关速度无疑是 GaN HEMT 的一个重要卖点、因此我认为如果您不能利用它、则最好坚持使用 NMOS。

DRV8351SEP 指定最大 SHx 压摆率为2V/ns (这是具有最佳布局设计的最佳情况、我实际上会选择0.5V/ns - 1V/ns、以真正避免 SHx 出现任何问题)

此致、

Yara

电机驱动器（参考译文帖）(Read Only)