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[参考译文] MSP430I2021:内部基准电压电容器 C_VREF 的建议容差

Guru**** 2489685 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430I2021

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1555768/msp430i2021-recommended-tolerance-on-the-internal-voltage-reference-capacitor-c_vref

部件号:MSP430I2021


工具/软件:

您好:

VREF 引脚和 AVSS 引脚之间连接的建议电容器的可接受电容范围是多少? MSP430i2021 手册将该电容器称为 C_VREF。 MSP430i2021 手册的第 8.7.7.2 节(SD24 内部电压基准)规定、典型值应为 100nF。 但是、我希望选择一个具有正确初始容差和温度特性的电容器、以便满足所有条件下的要求。

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    这只是一个平滑电容器、确切值并不重要、但您可能需要对其进行设置、使其绝不会低于 100nF。

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    谢谢 Keith、我担心如果电容值超过建议值、可能会影响 SD24 的稳定时间和响应速度。 MSP430 的 TI 参考设计都在 C_VREF 位置使用 0.1 µF、10%、X5R 陶瓷电容器。 我将使用具有等效或更好 规格的电容器。