[参考译文] MSP430F5310：MCU 功率耗散

尊敬的 Jonathan：
您可以在数据表的 5.6 热阻特性部分中找到有关功率损耗的更多信息：

此致、

Diego Abad

尊敬的 Diego：

感谢您的答复

我的问题是主要影响功率耗散的因素

这是公式

您能为此提供帮助吗

此致

Jonathan Kabangu

尊敬的 Jonathan：
MSP430 中的功率耗散 需要 热阻 和 结温等因素。 让我看看我能否从我的团队成员中找到一个公式。

此致、

Diego Abad

尊敬的 Diego：

是的、公式也很有用、是一个使用它的快速示例

谢谢

Jonathan Kabangu

该问题与功率耗散有关、但该公式适用于温度。 南...

功率耗散很小。 小于 20mW。 （5.4，工作模式电源电流）即使结至环境热阻相当高（因封装而异）、温升仍然很小。 0.02W * 63 C/W
因此不是问题。

您好、David：

初始问题是功率耗散的影响因素  

内核、开关频率、GPIO………还有什么？

换言之、我正在寻找在分步计算进行最坏情况电路分析时适用的公式

我希望这能使它更清楚,谢谢  

该数据表显示了 MSP430 的工作模式电源电流。 这不包括驱动外部器件所需的电流、因为 TI 不知道这是什么。  

MSP430 是一款如此低功耗的器件、您需要付出很大的努力才能使器件变热。

不要使事情变得过于复杂。 只需测量并对进入器件的所有电流*其电压求和、然后减去离开器件的所有电流*电压。

尊敬的 Keith / David：

感谢您的反馈和见解、

公式明智您会说这是正确的一个:

总功率耗散= VDD 的*IDD ( 磁芯 )+CL* VDD^2*fsw( 开关电源 )+ VOH*IOH( GPIO )

Jonathan Kabangu

我想应该是 MCU 内部的插件

将为 VCC - VOH、例如 3.3 - 2.9V = 0.4V

IOH？？