[参考译文] MSPM0C1104：如何读取/写入主闪存

Other Parts Discussed in Thread: MSPM0C1104, MSPM0C1103

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1616842/mspm0c1104-how-to-read-write-main-flash

器件型号： MSPM0C1104
主题： MSPM0C1103 中讨论的其他器件

根据技术参考手册第 310 页、应用程序可以使用 NVM 部分中的闪存。
www.ti.com/.../slau893c.pdf

根据 MSPM0C1103/MSPM0C1104 第 29 页的数据表、外设 存储器区域中包括闪存子区域。 我假设此区域与技术参考文献指定的闪存区域相同。

在 main 函数开始时、我运行以下代码、但无法从闪存中读取数据。 失败状态返回 DL_FLASHCTL_FAIL_TYPE_INQUIL_ADDRESS。

    SYSCFG_DL_init();

    DL_FlashCTL_executeClearStatus(FLASHCTL);
    DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, (uint32_t) &device_config_persistent, DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
    DL_FlashCTL_readVerify32(FLASHCTL, (uint32_t) &device_config_persistent, (const uint32_t*) &device_config);
    DL_FlashCTL_waitForCmdDone(FLASHCTL);
    DL_FLASHCTL_FAIL_TYPE failType = DL_FlashCTL_getFailureStatus(FLASHCTL);
   if (failType != DL_FLASHCTL_FAIL_TYPE_NO_FAILURE) {
       __BKPT(0);
   }

DEVICE_CONFIG 的类型恰好为 32B、DEVICE_CONFIG_PERSISTENT 的定义如下：

__attribute__((section(".device_config")))
ST_DEVICE_CONFIG device_config_persistent = 
{
    .setting1 = BL_SHORT_CYCLE,
    .setting1 = FALSE, 
    ...

}  

如何读取 持久性存储器区域的写入数据和写入数据？

此致

更新：

在取消保护操作之前和之后、保护寄存器保持不变。
FLASHCTL->GEN.CMDWEPROTA = 0xFFFF
FLASHCTL->GEN.CMDWEPROTB = 0x0000
FLASHCTL->GEN.CMDWEPROTC = 0x0000

原因是 sectorNumber 和 sectorInBank 等于 0x1000 (4096)。
此 API 显然并不用于写入该存储器部分。 至少不在我的控制器上。

更新 2：

而是尝试将数据写入 8kB 代码闪存的最后一部分。
但在读取时我一直收到错误 0x20、DL_FLASHCTL_FAIL_TYPE_VERIFY_ERROR。 不清楚原因。
通过 DL_FlashCTL_programMemory32、写入也不起作用、因为 ROM 数据不会更新。

MEMORY
{
    FLASH           (RX)  : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 0x00001BFF
    SRAM            (RWX) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 0x00000400
    DEVICE_CONFIG   (RW!x) : ORIGIN = 0x00001C00, LENGTH = 0x000001FF
    BCR_CONFIG      (R)   : ORIGIN = 0x41C00000, LENGTH = 0x000000FF
}