Other Parts Discussed in Thread: EVM430-FR6047
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器件型号： EVM430-FR6047
您好：
我们目前正在开发一种使用非常小的新型超声波传感器的新产品、这种传感器需要更高的电压激励信号才能正常工作。 实验中、24V 是理想选择、但它们可以在 12V 下工作。 我们传感器的激励频率围绕 1MHz、我们使用两个传感器（一个用于 Tx、一个用于 Rx）。 我们担心、对于给定通道、更高电压的激励信号可能会损坏 Rx 侧的 Rx 引脚、因为 Tx/GPIO 是电容耦合的。
EVM430-FR6047 明确支持大约 3.3V 的低电压激励信号。 鉴于上述情况、我们有几个问题：
1.是否有任何演示表明 EVM430-FR6047 正在使用电压更高的换能器？
2.如果没有、我能否使用栅极驱动器、FET 和外部电源来增加 Tx 电压信号、并使用 CH0 Tx 和 CH1 Rx 进行传输时间计算？ 由于 CH0 Tx/MSP430 会进行电容耦合、因此我们的 1MHz 激励频率将 12-24V 传递到 Rx、而这是不允许的、但我们可以将 CH0 固定为仅 Tx、将 CH1 固定为仅 Rx、从而隔离 24V。 隔离看起来就像这里附图。 
谢谢、
Mike
