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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/571615/msp430f6777-flash-multiple-bank-capability
您好，
我正在为我们的计量应用评估MSP430F6777IPZ。 我已经看到两个闪存库可用，每个闪存库的128 KB 大小各不相同。 我们需要每5分钟存储一次计量数据。 是否可以使用任何一个库来动态存储计量数据。 在代码从bank1执行时，是否可以从bank2写入或读取数据。 使用闪存库是否有任何限制？
它是否支持RS-485 2线半双工传输接口，我在 数据表中看到了一些可用的UART
此外，是否有计量API库可用于 MSP430F6777IPZ。 我看到其他一些芯片具有计量库支持
谢谢你
您好，Chris： 您肯定可以将数据存储在闪存中。 下面的线程中有一个简单的示例，以及指向更多示例的链接。 e2e.ti.com/.../3.8565万。您可以在代码在另一个银行执行时执行银行擦除，但不能执行其他操作。 请参阅7.3 www.ti.com/.../slau208p.pdf部分我能想到的唯一限制是：您需要修改链接器文件以确保您的代码存储在指定的银行中。 请告诉我，您是否需要相关指导，以及您使用的是IAR还是CCS。 此外，闪存具有有限的r/w循环次数(与其他类型一样)，最小值为1万 ，但通常可以实现10万。 有关Flash的更多信息，请访问 ：www.ti.com/.../slaa334a.pdf 就RS-485而言，这是可以实现的，但需要数据转换器。 我们有一个计量库，叫做EnergyLib。 请查看以下TI设计及其附带的软件包。 它应降级如何为F6779(A)构建它。 www.ti.com/.../TIDM-3PHMTR-TAMP-ESD最后，如果您正在考虑使用F6779，我强烈建议您使用F6779A，它基本上是相同的器件，并修复了许多勘误表。 关于这些差异的报告，见 www.ti.com/.../slaa666.pdf如果您有任何疑问或需要其他东西，请告诉我:-)
感谢Cameron Lafollette的宝贵回应。
让我了解一下您提供的链接的详细信息。 顺便说一句，如果我想每5分钟写入一次数据，并且如果最大写入周期被指定为10万 ，那么在347天后(每小时12次*每天24次)它是否会耗尽？ 如果 写入频率不是很重要，我认为应该降低写入频率
您好，Chris： 您的计算是合理的。 您可以实施磨损平衡。 Jens-Michael Gross给出了一个例子： e2e.ti.com/.../37.8786万。也就是说，我强烈建议查看我们的FRAM产品组合。 它具有10^15的写入寿命(9.5 十亿年)，写入速度更快，功耗更低以及众多其他优势。 有关FRAM www.ti.com/.../what_is_fram.page的详细说明，请查看此链接 了解一下256 KB FRAM和LEA (执行信号处理操作的速度比ARM Cortex-M0快40倍) www.ti.com/.../MSP430FR5994 如果这不能满足您的需求，请告诉我您认为F6667最具吸引力的方面，我将了解我能找到的方面。 如果这些是您不想公开透露的详细信息，请随时给我PM。 就链接器而言，请浏览我们的Wiki网页，了解如何将变量存储在特定的内存位置： processors.wiki.ti.com/.../Placing_Variables_in_Specific_Memory_Location_-_MSP430
尊敬的Cameron：
感谢您的宝贵支持。 我们正继续发展这种芯片。 如果我们遇到问题，请进一步支持
Chris
