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[参考译文] MSP430F6777：闪存多组功能

admin
Guru**** 2044370 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F6779, MSP430F6777
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/571615/msp430f6777-flash-multiple-bank-capability

部件号：MSP430F6777
主题中讨论的其他部件： MSP430F6779

您好，

我正在为我们的计量应用评估MSP430F6777IPZ。 我已经看到两个闪存库可用，每个闪存库的128 KB 大小各不相同。 我们需要每5分钟存储一次计量数据。 是否可以使用任何一个库来动态存储计量数据。 在代码从bank1执行时，是否可以从bank2写入或读取数据。 使用闪存库是否有任何限制？

它是否支持RS-485 2线半双工传输接口，我在 数据表中看到了一些可用的UART

此外，是否有计量API库可用于  MSP430F6777IPZ。 我看到其他一些芯片具有计量库支持

谢谢你

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    TI__Guru**** 2044370 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Chris：
    您肯定可以将数据存储在闪存中。 下面的线程中有一个简单的示例，以及指向更多示例的链接。
    e2e.ti.com/.../3.8565万。

    您可以在代码在另一个银行执行时执行银行擦除，但不能执行其他操作。 请参阅7.3 www.ti.com/.../slau208p.pdf部分

    我能想到的唯一限制是：您需要修改链接器文件以确保您的代码存储在指定的银行中。 请告诉我，您是否需要相关指导，以及您使用的是IAR还是CCS。 此外，闪存具有有限的r/w循环次数(与其他类型一样)，最小值为1万 ，但通常可以实现10万。 有关Flash的更多信息，请访问 ：www.ti.com/.../slaa334a.pdf

    就RS-485而言，这是可以实现的，但需要数据转换器。

    我们有一个计量库，叫做EnergyLib。 请查看以下TI设计及其附带的软件包。 它应降级如何为F6779(A)构建它。
    www.ti.com/.../TIDM-3PHMTR-TAMP-ESD

    最后，如果您正在考虑使用F6779，我强烈建议您使用F6779A，它基本上是相同的器件，并修复了许多勘误表。 关于这些差异的报告，见 www.ti.com/.../slaa666.pdf


    如果您有任何疑问或需要其他东西，请告诉我:-)

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    TI__Guru**** 2044370 points
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    感谢Cameron Lafollette的宝贵回应。

    让我了解一下您提供的链接的详细信息。 顺便说一句，如果我想每5分钟写入一次数据，并且如果最大写入周期被指定为10万 ，那么在347天后(每小时12次*每天24次)它是否会耗尽？ 如果 写入频率不是很重要，我认为应该降低写入频率

    谢谢你

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    TI__Guru**** 2044370 points
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    此外，我们可能会采用尚未最终确定的IAR。 如果我们使用多个库功能，则可能需要更改链接程序脚本。 我希望得到这方面的指导。
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    TI__Guru**** 2044370 points
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    您好，Chris：
    您的计算是合理的。 您可以实施磨损平衡。 Jens-Michael Gross给出了一个例子： e2e.ti.com/.../37.8786万。

    也就是说，我强烈建议查看我们的FRAM产品组合。 它具有10^15的写入寿命(9.5 十亿年)，写入速度更快，功耗更低以及众多其他优势。 有关FRAM www.ti.com/.../what_is_fram.page的详细说明，请查看此链接

    了解一下256 KB FRAM和LEA (执行信号处理操作的速度比ARM Cortex-M0快40倍) www.ti.com/.../MSP430FR5994

    如果这不能满足您的需求，请告诉我您认为F6667最具吸引力的方面，我将了解我能找到的方面。 如果这些是您不想公开透露的详细信息，请随时给我PM。

    就链接器而言，请浏览我们的Wiki网页，了解如何将变量存储在特定的内存位置： processors.wiki.ti.com/.../Placing_Variables_in_Specific_Memory_Location_-_MSP430

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    TI__Guru**** 2044370 points
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    实际上，我在计算中犯了一个错误...在FRAM中，读数也是破坏性的，因此将接近30年！ 寿命还不错。
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    TI__Guru**** 2044370 points
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    嗨，Chris，
    我只是想看看这里的情况怎么样？ 如果您还需要其他信息，请告诉我！
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    TI__Guru**** 2044370 points
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    谢谢你，Cameron LaFollette，

    很抱歉回复太晚，我们正在使用F6667评估要求。 使用外部FRAM可能对我们来说足够了，因为它具有10^15个写入周期。 在我们尝试使用能量计量应用时，F6667是首选。 您是否可以推荐能够与F6667连接的FRAM芯片(首选尺寸将小于64 KB)

    谢谢你
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    TI__Guru**** 2044370 points
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    您好，Chris：
    这取决于您需要的最小内存大小是多少？ 我们有2，4，8，16，32， 和64+KB大小。 此外，F6667上还会保留哪些通信资源。

    我包括了一个参数搜索，它按升序价格列出了我们在64 KB 下的FRAM芯片。 www.ti.com/.../products.page
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    Chris，
    关于此问题，我还有什么可以帮您的吗？
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    您好，Chris：
    我将关闭此线程。如果您需要其他信息，请告诉我！ :-)
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    尊敬的Cameron：

    感谢您的宝贵支持。 我们正继续发展这种芯片。 如果我们遇到问题，请进一步支持

    谢谢你

    Chris

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    谢谢你，Cameron Lafollette，

    我们正计划采用这种芯片。 您是否可以为同一产品推荐开发套件？

    它是否能够使用 www.ti.com/.../MSP-EXP430F5529LP测试大多数MSP430F6777功能(计量ADC除外) 。我们需要在实际主板启动之前测试一些基本功能。

    谢谢你
    Chris
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    您好，Chris：
    您可以用它来大致了解MSP，但测试它的最佳方法是使用目标板，因为F5529和F6777有其它差异，如电源系统，RTC以及您提到的ADC。

    以下是指向目标板的链接。 您将需要使用MSP430F6779 (随附)。 如果继续使用MSP430F6777，我强烈建议使用F6777A，因为这是我们提供的最新版本的此部件，并且与旧部件相比，它将具有多个增强功能。
    www.ti.com/.../msp-ts430peu128
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    TI__Guru**** 2044370 points
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    您好，Chris：
    我现在要结束这个问题。 如果您需要进一步的帮助，请告诉我。
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    尊敬的Cameron：

    感谢您的回复。 正如您所建议的，我们更喜欢使用MSP430F6777AIPEU
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    尊敬的Cameron：

    感谢您的支持。 如果有更多的疑问，我会将其添加为单独的线程