[参考译文] MSP430F5529：内部比较器B误报

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/632846/msp430f5529-internal-comparator-b-false-positive

您好，

我正在尝试使用MSP430F5529上的内部比较器B测量电池电压。 我使用了示例代码，将参考电压设置为Comp B的负极端子(2V)，并将电源连接至Comp B，CB4 (WFP 6.4)的正极端子。 WFP 1.6 连接到CBOUT (comp B的输出) ，我用 saleae对WFP 1.6 进行了探测。 我观察到CBOUT对于1.946V电源来说很高，并且一直很高(我预计这个值会很低)。 对于我的应用，50mV的测量差异会产生巨大影响。  

Comp B的准确性如何？ 有人能帮我使它更准确吗？ 如果有什么缺失，请让别人告诉我吗？

使用的代码：

#include <MSP4S.h>

内部主(无效)
｛
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD；//停止WDT
P1DIR || BIT6;// WFP 1.6 输出方向
P1SEL || BIT6;//在1.6 上选择CBOUT功能

//设置比较器B
CBCTL0 || CBIPEN + CBIPSEL_4；//启用V+，输入通道CB4
CBCTL1 || CBPWRMD_1;//正常电源模式
CBCTL2 || CBRSEL;// VREF应用于-terminal
CBCTL2 |= CBRS_3+CBREFL_2;// R梯关闭；Bandgap电压放大器打开并生成2.0V参考电压
CBCTL3 |= BIT4;//输入缓冲器禁用@WFP 6.4 ／CB4
CBCTL1 || CBON；//打开比较器B

__delay_cycles(75);//延迟参照以确定

__bis_sr_register(LPM4_bits);//输入LPM4
__no_operation()；//用于调试
}

谢谢！