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[参考译文] MSP430FR2433：RST线路的上拉式

admin
Guru**** 2562120 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP-FET

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/657567/msp430fr2433-pull-up-for-rst-line

部件号：MSP430FR2433
主题中讨论的其他部件：MSP-FET

团队除了MSP-FET兼容性外，在RST线上使用150k上拉，而不是使用建议的47k，是否存在任何问题？ 如果使用此电阻值，电容器是否需要改变接地？  我指的是HW UG第19页的R1和C1。  

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    TI__Guru**** 2562120 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    对于使用47k上拉复位引脚的闪存2xx系列来说是必须的(对于运行，而不是SBW)，FRAM器件具有内部35k上拉复位，不需要外部上拉。 如果使用外部电阻，则最终电阻将由内部和外部并联组合产生。

    设备数据表中有注释...

    引脚RST/NMI --电位DVCC -- 47 kΩ 上拉或内部上拉，通过10-nF (或1.1 －nF)下拉选择

    在Spy-Bi-Wire模式下使用具有Spy-Bi-Wire接口的MCU以及FET接口或组编程器等TI工具时，下拉电容器不应超过1.1 nF。

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    TI__Guru**** 2562120 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    深，

    Zrno soli在这里是正确的。