[参考译文] MSP430F6636：32.768kHz晶体选择

您好，Ritul，

1.</s>6636 现有晶体 ABS07W-32.768kHz-J-1-T ，并定义集成有效负载上限。 在MCU数据表中使用XTS=0和XCAPx=1时为5.5pf。 因此，无需连接外部负载盖。 我们的理解是否正确？[/QUOT]

ABS07W数据表指示负载电容应为3pF。 请记住，XCAP选择已经是有效的负载电容，因此使用5.5pF设置可能会超出振荡器数据表的建议值。 您的迹线还会增加一些电容，通常按单pF的顺序排列，这取决于布局。

我在这里的建议是清除XCAP位(即CL，eff将是2pF引脚电容与其他2pF引脚电容串联，或总计1pF)，并使用两个4pf电容器，以获得您所需的额外2pF。 或者，您不能填充这些，看看您的主板寄生物是否能使您接近3pF的标称晶体值。 您的迹线电容很可能会绰绰有余，如果您更换晶体或只是想进行调谐，使用额外的电极片仍可进行调整。

2.</s>6636 我们要定义备用32.768kHz晶体 ABS06-32.768kHz-T如果被认为 是集成式有效负载盖。 使用XTS=0和XCAPx=1时为5.5pf。 因此，对于XT1DRIVEx = 0，CL，eff≤6 pF。 (第 29 MCU数据表)，然后振荡容限(OA_LF) 210Kohm (PG 28 MCU数据表)。[/QUOT]

请记住，OA值将取决于多种因素，例如特定的晶体和电路板布局。 我还应该指出，ABS06的有效负载电容似乎在12.5pF左右，所以在使用此晶体时，XCAPx值的设置有更多的选项。  

</s>6636

DRIVE_LEVEL =(ESR*((Pi * Fmax*C_tot)^2)*(Vpp^2))/2

[/引述]

您在此处使用的Fmax和C_TOT值是什么？ 我只是想验证您的计算结果，因为驱动器级别在我看来很高，因为它是如此低频晶体。  

此致，
Brandon Fisher

[/quote]

[/quote][/quote]

您好，Brandon：

感谢您的回复。

之前，我们通过使用不同 的XCAPx寄存器值(未连接任何外部负载电容器)测量WFP 1.0 MCU引脚处的ACLK来验证负载是否正确，并附上寄存器设置文件。 由于测量读数非常接近5MHz，最终确定XCAP=1值。 我们是否需要连接外部电容器？

1.XCAP = 0 -> ACLK = 5.05MHz

2.XCAP = 1 -> ACLK = 4.9.9732万MHz

3. XCAP = 2 -> ACLK = 4.9.9723万MHz

4.XCAP = 3 -> ACLK = 4.9.9643万MHz






2.请检查以下用于此计算的值。 

FMMAX = 3.2768万 75MHz (考虑的间隙公差20ppm + 3 PPM老化=总计23 PPM) 

c_tot =C_required + C_Tray/2 + C_PROBE 
=20pF + 5pF/2 + 1pF (假定) 
= 23.5pF 
其中C_REQUIRED = 2 (C_LOAD)-Ctray = 2 (12.5pF)-5pF (假定)= 20pF 

DRIVE_LEVEL =(ESR*((Pi * Fmax*C_tot)^2)*(Vpp^2))/2 
ESR= 90K 
VPP = 3.3V 

计算的驱动级别= 2.87uW，大于0.5uW XTAL驱动级别。 


此致， 
Ritul