大家好、
我有一个简短的问题是、我们的计量客户 正在使用 MSP430FR6047IP
他们提出了这个问题：
32kHz XTAL 引脚的杂散电容
请告知我们有关引脚“PC14-OSC32_IN”、“PC15-OSC32_OUT”的杂散电容。
它是否与(CIO) I/O 引脚电容[5pF]相同？
因此、我们可以在外部晶体上放置正确的电容负载。
经过一些研究，他们发现了 MSP430FR6047IPZ 手册中的信息
这是杂散电容吗？
另一方面、在套件 EVM430-FR6047 (编号 MCU018)中、它似乎没有得到充分考虑。
您能帮助提供有关此方面的反馈吗？
非常感谢！
此致、
Brian
尊敬的 Johnson：
客户看了一下、但我需要一些帮助来查看以下客户反馈：
关于 ABS07-32.768kHz-9-T 晶体的外部负载电容(CL1和 CL2)值的计算、TI 使用的公式似乎有误。
让我解释一下：
皮尔斯振荡器电路原理图下方 
使用
INV：用作放大器的内部逆变器
Q：晶体石英或陶瓷谐振器
RF：内部反馈电阻器
CL1和 CL2：是两个外部负载电容
CS：杂散电容、是器件引脚电容(CPIN)(OSC_IN 和 OSC_OUT)与 PCB 电容(CPCB)(寄生)之和
晶体制造商指定的负载电容(CL)由以下公式计算：
通常、CL1=CL2、因此上述公式的结果为
CL=CL1/2 + Cs
如果 CL1=CL2=12pF 和 cs=2pF (集成电容器)+2~4pF (PCB 寄生电容)、则计算的负载电容为
CL= 12pF/2 +(CS=2pF (集成电容器)+2~4pF (PCB 寄生电容)= 10~12pF > 9pF
TI 使用的公式与上述公式不同：
cl=(CL1+cs)/2)给出结果
CL=(12pF +(cs=2pF (集成电容器)+2~4pF (PCB 寄生电容))/2 = 8~9pF
在我看来、外部电容器的正确理论值应为 CL1=CL2=8pF。
cl= 8pF/2 +(cs=2pF (集成电容器)+2~4pF (PCB 寄生电容))= 8~10pF。因此这与晶振技术规格相匹配。
谢谢！
此致、
Brian
