你(们)好
让我详细介绍一下这些问题的背景：
- Vdd=3.1V
-为了省电，μ µC 被置于睡眠模式。
为了唤醒它、我们使用 GPIO 引脚。 我们将该引脚配置为具有100K 外部下拉电阻器的输入(所附文件中的原理图)。 一旦 GPIO 检测到高电平输入状态、μ µC 将被唤醒。
-为了给 GPIO 提供高输入状态，电路中有一个近场 PCB 天线，可感测外部近场信号。 天线接收到的近场信号的波形为50MHz 正弦波。 振幅很难确定、因为我们为测量添加了额外的文件、因此必须放大信号。
您能不能 µC 唤醒 T Ü V S Ü D 必须满足哪些条件？
我认为(我不确定)
1) 1)接收到的近场信号的振幅必须大于 VIT+。
在您的数据表中、VIT+介于1.35V 和2.25V 之间。这是否意味着高输入电压会因微控制器而异？ 或者、这是否意味着对于同一个微控制器、高输入电压可能会变化？
2) 2)高输入检测必须满足信号电平持续时间。 我无法在您的数据表中找到此信息。
3) 3) MCU 必须满足输入高电平状态的持续时间才能唤醒。 我在下面找到了相关信息。 您能否确认我的理解是正确的？
由于我们使用50MHz 外部唤醒信号、因此持续时间为20ns、不够长。 我们无法唤醒 μ µC。 为解决此问题、我们使用二极管电桥来重新编辑唤醒信号。
谢谢你
最好
梁
梁好、
我想确保我理解您的电路、使用220uF、那么是否可以为我提供一张简单的图纸、其中显示了电容器相对于 MSP430的位置？ 下面是一个示例图：
尊敬的 Dennis：
以下是该图：
n ü µC 由电池直接供电。
220µF μ F 钽电容器与电池并联、以防止后者出现强电流纹波。
电容器一侧连接 VDD、另一侧连接多个 GPIO 引脚。 µC 目的是在 μ F 被激活之前避免电容器的泄漏电流。 这些 GPIO 引脚配置为执行高阻抗、以便不连接电容器。
一旦 μ µC 唤醒、这些 GPIO 引脚被配置为输出低电平。
最好
梁
