你(们)好
让我详细介绍一下这些问题的背景:
- Vdd=3.1V
-为了省电,μ µC 被置于睡眠模式。
为了唤醒它、我们使用 GPIO 引脚。 我们将该引脚配置为具有100K 外部下拉电阻器的输入(所附文件中的原理图)。 一旦 GPIO 检测到高电平输入状态、μ µC 将被唤醒。
-为了给 GPIO 提供高输入状态,电路中有一个近场 PCB 天线,可感测外部近场信号。 天线接收到的近场信号的波形为50MHz 正弦波。 振幅很难确定、因为我们为测量添加了额外的文件、因此必须放大信号。
您能不能 µC 唤醒 T Ü V S Ü D 必须满足哪些条件?
我认为(我不确定)
1) 1)接收到的近场信号的振幅必须大于 VIT+。
在您的数据表中、VIT+介于1.35V 和2.25V 之间。这是否意味着高输入电压会因微控制器而异? 或者、这是否意味着对于同一个微控制器、高输入电压可能会变化?
2) 2)高输入检测必须满足信号电平持续时间。 我无法在您的数据表中找到此信息。
3) 3) MCU 必须满足输入高电平状态的持续时间才能唤醒。 我在下面找到了相关信息。 您能否确认我的理解是正确的?
由于我们使用50MHz 外部唤醒信号、因此持续时间为20ns、不够长。 我们无法唤醒 μ µC。 为解决此问题、我们使用二极管电桥来重新编辑唤醒信号。
谢谢你
最好
梁