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[参考译文] MSP430FR2433:MCU 由于压降而复位。

Guru**** 2540720 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430FR2433

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1056910/msp430fr2433-mcu-resets-due-to-voltage-drop

器件型号:MSP430FR2433

您好!

我当前遇到 MSP430FR2433复位问题、可能是由于电源引脚上的压降。 当通过 MCU (或手动触发)启用负载(2个 LDO 和一个负载开关、约为500mA)时、MCU 复位。 然而、使能负载的输出端口(3.0)在复位期间继续保持高电平、所以它只发生一次。

电源电压为3.377V、压降降至2.882V:

根据我的理解、导致复位的是电源电压监控器(SVS)或 BOR (数据表中为5.11.1)。

我已470µF 在电路输入端添加一个额外的电解电容器(μ F)。 不是最佳位置、但电路板非常小且难以修改。 这 µs 将电压降降至3.051V、速率略低于0.1V/μ s (由于 V 变化、BOR 复位时应该是安全的)。 µs 额外的电容器、压降为2.882V、速率接近0.2V/μ s (接近 BOR 触发器)。

我目前正在 LPM0模式下运行 MCU (SVS 处于活动状态)、并且尝试过更低的时钟速度而没有任何改变(低至6MHz)。

是否可以调整 SVS (或 BOR)来处理该压降、如果是这样、如何处理? 或其他任何解决我的问题的建议?

我遵循了数据表中关于 Vcc 引脚电容(10µF μ F 和0.1µF μ F)的建议、但考虑增大10µF μ F 电容值(尺寸0805、限制为最大值100µF μ F)、并且可能会增大我在 LDO 前面的电容。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    如果 PCB 尺寸有限、那么为什么在  这种情况下不使用压降较低的高性能 LDO。 否则、您需要在 VCC 引脚上放置更多电容器。

    此致、

    现金 Hao

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    您好!

    我已经使用了一对应该具有低压降的高性能 LDO、这两个 LDO 都配置为软启动(1ms)。 但是、我检测到一些可能干扰 LDO 软启动的寄生电容(由1nF 电容器控制)。 与负载开关一起、压降可能高于电容器能够处理的电压降(在 MCU、LDO 和负载开关前面)。

    我在使能引脚 µF 了一个4.7 μ F 电 µF µF (以研究使能引脚的电压上升/行为)、并将 MCU 的 VCC 引脚电容增加到100 μ F (而不是电路输入上的临时470 μ F 电容)。 它确实解决了 MCU 复位问题、使能引脚上的额外电容器可能会在 LDO 和负载开关之间留出足够的时间(在不同电压下启用)。 主要问题可能是 LDO 和负载开关前面的输入电容器上的值太低、从而导致浪涌。

    仍然有点困惑、即使在压降速率处于数据表中规定的裕度范围内、为什么 MCU 也会复位、我不确定 SVS (或 BOR)是如何/何时在3.3V 下工作以及如何配置触发/限制。 但是、由于已确定问题的原因(我会将其视为 MCU 之外的硬件问题)、我将其标记为已解决。

    此致、
    Ronnie