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[参考译文] LP-MSPM0G3507：使用产品样片时、闪存操作不成功

admin
Guru**** 2482225 points
Other Parts Discussed in Thread: LP-MSPM0G3507, MSPM0G3507

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1242097/lp-mspm0g3507-flash-operation-does-not-succeed-when-using-product-sample

器件型号：LP-MSPM0G3507
主题中讨论的其他器件： MSPM0G3507

您好！
我目前正在考虑使用 LP-MSPM0G3507。
我希望您检查闪存操作、因为这很奇怪。
运行示例工程"flashctl_multiple_size_write_lp_MSPM0G3507_nortos_ticlang"至
我能够确认执行了预计来自 MAIN_BASE_ADDRESS (0x00001000)的闪存行为。
但是、如果将 MAIN_BASE_ADDRESS 更改为0x00008000、则闪存操作失败。

在早期采样环境中、即使将 MAIN_BASE_ADDRESS 更改为0x00008000、闪存操作也没有问题。
您是否有任何更改？
请确认。

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    TI__Guru**** 2482225 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好！

    目前、这是 SDK 中的一个问题、将在下一个 SDK 版本中修复。 有关详细信息、请参阅以下主题： mspm0g3507-latest-sdk-problem  

    下一个 SDK 版本计划于7月初发布。

    B.R.

    萨尔

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    TI__Guru**** 2482225 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的答复。
    我了解。
    我希望这个问题很快会得到解决。