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[参考译文] MSP430F6775A：闪存

admin
Guru**** 1826200 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1426248/msp430f6775a-flash

器件型号：MSP430F6775A

工具与软件：

您好！

我想问 while (FCTL3 & BUSY) 在擦除和写入、写入 while (!(WAIT & FCTL3)) 信息分区时以及使用主存储器时是否可以使用。 我已经注意到、这些主要是在代码从 RAM 内存中执行时使用、并且在闪存存储器中代码执行期间、如果操作没有完成、CPU 应该被保持。 我还在文档中看到了示例代码、在执行长字或块写入之前没有使用等待位。 所以我的问题是：可以使用 SLAU208Q 第357页的示例配置从主存储器以外的闪存中擦除和写入信息段吗？ 或者、对于从闪存而不是 RAM 执行的代码、甚至对于使用 WRT 的写入字或字节操作、最好坚持使用提供的示例、而不使用 BUSY 和 WAIT 位？

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    信息存储器和主存储器位于不同的闪存组中。 因此、您可以直接写入或擦除信息存储器。 但不允许擦除或写入与代码所在的相同存储体。  

    从闪存(主存储器除外)写入信息段

    这里的闪存是什么意思？

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    BSL 存储块。

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    这应该没有问题、因为它们位于不同的银行。

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    因此、我可以使用  while (FCTL3和 BUSY)、也可以使用   while (!(WAIT & FCTL3)) during erase and write into main flash and infoA-D segments from BSL flash.

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    有