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部件号：TMS3705 工具/软件：
团队、
我的客户使用 TMS3705 开发了一个原型、并对天线电流进行了实际测量评估。 根据漏源导通电阻（典型值为 7 Ω，最大值）的假设、计算出的电流值之间存在很大差异。 14 欧姆）和实际测量值。 在测量条件下、RDS (on) 要低得多（约为 1 Ω）。 他们想知道是否有任何可能性,并想确认的特点。
我的客户确实：
- VDD = 5V ,天线线圈电阻= 10.5 欧姆,转储电阻器每侧 18 欧姆,共振频率和驱动频率几乎匹配。
-在数据表中以 7 欧姆典型值计算了天线电流,计算出的值为 187mA pp
-实际测量值是 216mA 如果 RDS (on) 约为 1 欧姆、计算值将为 211mA pp、接近于测量值。
以下是我的客户提出的四个请求、需要您的帮助。
1) 希望查看有关 MOSFET Rds (on) 的特性图。
2) 想知道 TMS3705 和 TRF4320 之间的导通电阻差异如此大的原因。
TMS3705：典型值 PCH 和 N 沟道总电阻为 7 Ω、最大值 14 Ω@Ω 50mA、VDD4.5-5.0V
TRF4320：典型值 PCH 和 N 沟道总计为 0.9 Ω、最大值 1.45 Ω@1A、VDD12V
3) 希望查看 MOSFET 导通电阻的实际测量数据。
4) 是否有任何计算工具可以计算 Rds (on)？
一种可以通过输入 VDD、电流值等前提条件来计算导通电阻的方法。
请问您对此有何评论？
此致、
Nonaka
