[参考译文] RF430FRL152H：伽马可消毒 RFID/NFC 标签

嗨、Plamen、

我希望一切顺利、并对拖延表示歉意。 同样、这些器件的支持有限、但我会尽力回答您的问题、我可以：

1) 此电路 (RF430FRL152H) 能否承受 γ 辐射,同时保留了整体功能?

。  RF430FRL152H  未正式指定为耐辐射或抗辐射器件。 高通滤波器  FRAM  （铁电 RAM）与闪存或 EEPROM 相比、本身对伽马辐射的耐受性更强、因此整体 IC 功能（包括其 CMOS 逻辑、SRAM 和模数转换器 (ADC)) 仍然易受总电离剂量 (TID) 效应的影响。 因此、我们不能保证整体功能得以保留。

2) 如何知道闪存/EEPROM 可以承受哪些级别? 参考这一点并不清楚规格。

• FRAM :高耐受性,因为它使用晶体极化 (PZT) 存储数据,而不是捕获的电荷。 达到之前所说的最大功率  耐冲击性提高 1000 倍  伽马射线的化学反应。
• 闪存/EEPROM :对伽马辐射非常敏感,因为高能量光子可以释放用于存储数据的浮动门,将位从“0"翻转“翻转到“1"。“。 此处不提供规格、因为它并非设计为抗辐射器件。
• SRAM/ROM ：RF430FRL152H 还包含  4KB SRAM  和  8KB ROM 。 SRAM 易受单粒子翻转 (SEU) 和 TID 引起的泄漏的影响、而 ROM 通常更稳健、但仍会发生外设逻辑故障。  此处不提供规格、因为它并非设计为抗辐射器件。

3) 伽马射线对 IC 的其他记忆类型的影响如何?

见上文对问题 2 的答复。

4) 什么级别的伽马辐射被指定为安全? 例如 50 kGy？

 此处不提供规格、因为它并非设计为抗辐射器件。

5) 上述信息在哪里列出?

 此处不提供规格、因为它并非设计为抗辐射器件。

6) 请提供一个（应用手册）

我们讨论伽马辐射的唯一应用手册是我们之前提供的应用手册  RF430FRL152H Novel Ferroelectric RAM (SLOY005)。  此处不提供规格、因为它并非设计为抗辐射器件。

还有 https://www.ti.com/lit/po/szzt014a/szzt014a.pdf 提供了一些信息。

希望这对您有所帮助。

谢谢、

Riz

尊敬的 Plamen — 请参阅以下应用手册，其中介绍了在 FRAM 存储器上完成的测试： https://www.ti.com/lit/wp/sboa154/sboa154.pdf

它的常规级别范围为 75 到 300、 存储器是 FRAM、而不是 EEPROM 或闪存（如果不在之后和上电之前退火，就无法进行这种读取。） 我们有多个客户在医疗应用中使用这些设备、其中使用的灭菌是 γ、而 ETO 或其他应用则是因为其在生产场景中更快、更便宜。