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器件型号：CC2510 此问题与以下内容相关：低功耗射频工具->低功耗射频工具论坛-> CC2510双门锁销。
对于上述引脚、我们注意到去耦应为1uF。 在我们的电路中、我们注意到从 PM2 (睡眠模式)唤醒时具有相当大的浪涌电流。 我们看到、该浪涌电流与去耦电容器的值有关。
所有文档都显示了该电容器的值1uF。 我们注意到在 CC2510EM-Version2和 CC2510EM-V3板上测量的浪涌电流存在差异。 CC2510EM-V3的浪涌电流要低得多。 测量实际安装的去耦时、其值似乎为100nF。 在 CC2510EM-V2电路板上使用此值可提供相同的较低浪涌。 在我们自己的设计中、我们看到同样的结果- 使用100nF 时、从 PM2唤醒时的浪涌降低。
是否有理由不将 DCOUPL 上的去耦电容更改为100nF？
是否可以更改 CC2510EM-V3的文档以显示100nF 的实际值。
此问题也将针对 CC1110提出。
此致
Niels Harthøj è s
